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組み込みOPCが、DUVレーザーでの 65/45nmマスク描画を可能にする

パターニング前のCD補正をマスク描画データに適用し、マスク描画データにCD補正をかけ、組み込みの近接効果補正(OPC:Optical Proximity Correction)を適用することで、マスクのCDリニアリティや近接効果性能を向上することができる。これにより、DUVレーザーを使用して 65nmや45nmプロセス向けのマスク描画が可能になる。





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2008年5月号

IDM、ファウンドリ、パッケージングハウスなどはSi貫通ビアプロセスの開発を進めている。しかし、製造コストの要求に対応するために更なる対策が必要とされているようだ。



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金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
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