米Intel社が65nmプロセスを採用し、完全動作する70MビットSRAMの開発に成功した。現在量産立ち上げ段階を迎えた90nmプロセスが完成してからわずか20ヵ月で、Intelは次世代プロセスにめどを付けた格好だ。これによりムーアの法則および15年間におよぶ2年サイクルを継続していくことができるとしている。この新プロセスは、投入が計画されているマルチコア・プロセッサなど同社先端デバイスの基盤技術となる模様。試作は米オレゴン州ヒルスボロの300mm開発工場「D1D」で行われた。
　65nmプロセスでは、高性能および低消費電力のトランジスタ技術を採用した。トランジスタのゲート長は35nm、ゲート酸化膜の膜厚は1.2nm。歪みSi技術は第2世代目を迎え、8層の高速Cu配線構造/low-k層間絶縁膜と組み合わされている。歪みSiによりトランジスタ性能は10〜15％向上し、トランジスタのリーク電流は90nmプロセスの1/4に削減された。これにより、リーク電流を増大させることなく、大幅な性能向上を達成しているという。また、このSRAM には“スリープ・トランジスタ”を実装した。利用されていない大容量ブロックへの電流を遮断し、消費電力をさらに飛躍的に削減することができる。
　リソグラフィ工程では、マスクによる超解像技術を駆使することで、露光技術は既存のArFを採用する。量産においても、既存の90nmプロセスで使用されているArFおよびKrF露光装置のアップグレードで対応するとしている。
　65nm量産プロセスの開発にめどがついたことにより、Intelは予定通り2005年内に300mmウェーハで65nmノードの量産を開始するとしている。