米KLA-Tencor 社は、65nmノード以降プロセスに対応した薄膜計測装置「SpectraFx200」を発表した。65nmノードでは、プロセスの許容範囲が非常に狭いため、ダイ内部の変動や浮遊分子吸着汚染（AMC）がデバイスの性能に重大な影響を及ぼす。AMC吸着に起因する0.1nmの変化もプロセスに影響し歩留まり低下につながるため、非常に薄い膜を含む多層スタック構造のレイヤーごとに膜厚と膜質を同時に計測することが必要になっている。

　SpectraFx200では分光エリプソメトリ（SE）に150nm VUVSE（真空紫外）をオプションで付け加えられる。この測定光学系により、非常に薄いONO膜、ゲート窒化膜、High-k膜、Low-k膜、反射防止膜（ARC）やSOI、歪みSiおよびSiGeなどの計測を可能にしている。また、誘電膜厚測定機能（DPM）により、製品ウェーハでもチップ内のプロセス変動を非破壊で正確に計測できるため、モニタウェーハの使用量を削減し、コスト効率よく監視できる。