米IBM社と米AMD社、ソニー、東芝の4社は、トランジスタの動作速度を最大24％高める。歪みSiトランジスタ技術を開発した。AMDとIBMは、共同で開発した歪みSiプロセス技術「Dual Stress Liner」を、両社の90nmプロセスに使用する計画があることを明らかにした。ソニーと東芝の計画は発表されていない。

　AMDは90nmプロセッサのすべてのプラットフォームに、Dual Stress Liner技術を順次導入する考え。開発中のマルチコア・プロセッサ「AMD64」にも使用される予定である。同社は、歪みSi技術を使用して90nm技術で製造した最初のAMD64プロセッサーを2005年上期に出荷する計画だという。IBMは、「Power アーキテクチャー」も含む複数の90nmプロセッサー・プラットフォームに歪みSi技術を導入する考えだ。歪みSi技術を使用した最初の製品は、2005年上期に出荷を開始する予定である。

　AMD社は、「Dual Stress Linerはn型トランジスタとp型トランジスタの両方で動作する。その理由は、一方のトランジスタでSi原子を引っ張り、もう一方のトランジスタでSi原子を圧縮するからだ。Dual Stress Liner技術は、新しい製造手法を導入しなくても実現できる」ことを付け加えた。

　対して米Intel社は、「当社は2003年から歪みSi技術を使ったプロセッサーを量産している。当社が現在製造している90nmプロセッサはすべて歪みSi技術を使用している」とコメントした。Intelでデスクトップ・プラットフォーム部門のバイスプレジデント兼ディレクターを務めるStephen Smith氏は、「当社は歪みSi技術では主導的地位を維持している。2005年には65nmプロセス技術で使用できるように開発を進めている」と述べた。

　AMDとIBMのDual Stress Linerの詳細は、2004年12月中旬に米国のサンフランシスコで開催された「2004 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)」で発表された。