仏Soitec社と蘭ASM International社は、歪みSOI(silicon-on-insulator)技術を使った300mmウェーハを試作したと発表した。これは、「製品化が可能な」歪みSOIウェーハとしては半導体業界初になる。

　この歪みSOIウェーハは、Soitecの「Smart Cut」技術を使って製造された。同社によると、ウェーハ面の均質度±7%で1.5GPaの歪み強度を得たという。歪みSi層の厚さは、均質度±3%および高品質のSiウェーハと同等の表面粗さで20nmとなっている。さらにSoitecは、「当社の歪みSOIウェーハは、1100℃の温度までこの歪み強度を維持することが、当社内の試験で示された。CMOS集積化のサーマル・バジェットに十分適応したプロセスウィンドウを提供できる」とコメントしている。