東芝は、45nmノードに向けてゲートおよびソース/ドレインの抵抗低減に必要不可欠なNiシリサイド層を低コストで形成する製造プロセスを確立したと発表した。この新しいプロセスは、Niシリサイドの形成前にFイオンを注入することでNi原子のSi基板中への拡散を抑え、接合リーク電流を大幅に低減するというもの。同社は、携帯端末用の高性能チップの製造に適用する予定としている。

　NiSi層形成前にソース/ドレイン上にF原子をイオン注入すると、NiSi層の耐熱性が大きく向上し、Ni原子の拡散を大幅に抑制できる。このため、シリサイド化の影響による接合リークをほとんどなくすことが可能となった。Fイオンの注入によるシリサイド膜厚や抵抗値、素子駆動電流電力などのへの影響もない事を確認した。Fイオンの注入は現在の製造装置で容易に対応可能であるため、低コストで導入できるとしている。