台湾TSMC社は、液浸露光装置で90nmデバイスの製造に成功し、液浸リソグラフィが量産技術として適用できることが分かったと発表した。米IBM社でも同様の成果が得られた模様だが、IBMから正式には発表されていない。

　TSMC Micropatterning Divisionシニアディレクタ Burn.J.Lin氏は、米Cymer社主催の「Lithography Symposium」（2004年12月1日）の基調講演の中で、蘭ASML社製の90nmノード対応の液浸露光装置でSRAMを製造したと発表した。TSMCはウェーハ複数枚をASMLに送り、ASMLにおいて同一ロットのウェーハを液浸露光装置とドライ露光装置に分けスプリットテストを行った。そして、ASMLでフォトレジストを現像してから再びTSMCの製造ラインに戻した。このテスト結果を比較したところ、歩留まりやデバイス特性、欠陥レベルは同等の結果だった。しかし、焦点深度については、液浸露光装置の方がドライ露光装置の2倍良いという結果が得られたと説明している。

　このためTSMCでは、液浸リソグラフィは65/45 nmの量産技術として適用が可能と考えており、最初の液浸露光装置を2004年11月に設置し、立ち上げを行っているとコメントしている。