韓国Hynix Semiconductor社が、300mm工場（T1）の拡張に伴いトランジスタ形成工程および配線工程に米Mattson Technology社のアッシング装置とRTP装置を発注すると発表した。300mmウェーハ対応の装置でDRAMやSDRAM、フラッシュメモリー、システムLSIの製造に使われる。Mattsonは、2005年1月から装置の出荷を開始すると両社はコメントしている。

　今回採用された装置には、Mattsonのアッシング装置「Aspen�V ICPHT」とRTP装置「Helios」も含まれる。Aspen�V ICPHTはICPプラズマソースを搭載し、トランジスタ形成工程および配線工程のアッシングプロセスで広いプロセスウィンドウを提供する。Helios 300mm RTPは、モデルベースによる温度制御機構を有しているため、ウェーハ面内の温度を向上し、閉ループ制御で急速加熱、250℃までの急速冷却を可能にした。