米IBM社とシンガポールのChartered Semiconductor Manufacturing社は、現在の技術提携を2008年6月まで延長し、45nmプロセス技術の共同開発に取り組むことを発表した。両社は2002年11月に300mmウェーハで90/65nmのロジックデバイス向け製造プロセスの共同開発で複数年の契約を結んでいた。今回の提携はこれを45nm技術までに拡張したもの。

　Charteredの技術開発部門シニアバイスプレジデントShi-Chung Sun氏は発表の中で、「IBMとCharteredは、2002年の技術提携で、最新技術や協業のビジネスモデルを開発し、顧客に利益を提供してきた。最先端技術の開発に向けた両社の態勢はすでに整っている」と述べた。45nm技術の開発は、90nmや65nmと同様に、IBMの米ニューヨーク州イーストフィッシュキル工場で行われる予定。IBMによると、共同開発したプロセスは正確にコピーされ、両社の製造工場に適用されるという。提携に関する財政面の詳細については明らかにされていない。