米Aviza Technology社がこれまでの欧州、米国から日本とアジア市場に向けて力をシフトさせている。このほど上海で開かれたSEMICON Chinaにも出展、バッチ処理のLPCVD装置RVP-500と原子層エピタキシー堆積（ALD）装置Verano 5000を積極的に売り込みを図っている。「これから日本と中国に力を入れていく」と同社ファーネス事業担当バイスプレジデントのMay Su氏はいう。

　 いずれの装置もウェーハを最大50枚まで収容できる共通のプラットフォームをもつ。縦型炉の円柱状の周囲にヒーターを巡らすだけではなく、上下にもヒーターを設け、温度の均一性を上げている。このアイソサーマル・チャンバは従来と違って温度を均一にするためのダミーウェーハは要らないと、May Su氏は利点を強調する。

　 RVP-500はジクロルシランを利用して500℃という低温でSiNを堆積できる低圧のCVD装置である（Semiconductor International日本版、2005年3月号、p.56参照）。「プラズマCVDだとバッチ処理は難しい。生産性を上げるためにはバッチ処理が適している」（同氏）。ウェーハ間の隙間を空けながら重ねてゆく方式を使い、その隙間にガスを注入する。処理中はウェーハを回転させ、均一性をさらに上げる。NF3によるインサイチュ･クリーニングができるため、装置を連続運転できる時間が長い。SiNパシベーション膜のほか、バックエンドアニールや、酸化膜のコンフォーマルも可能。これはSi結晶面が（100）面でも(111)面でも同じ厚さで酸化膜を成長するというもの。

　 Verano 5000ALD装置はまだ中国では早いものの、加速がつくと装置の採用が早いとみて今から準備を始めている。中国市場は、まだ180nm設計ルールが最先端ではあるが、90nmからは微細化が加速すると見ている。ALDは、今はDRAM用のゲート絶縁膜Al2O3の形成に使われているが、本命はゲート金属およびゲート絶縁膜への同時形成だと見ている。新しいHigh-k絶縁膜としてHfSiOやHfSiONが注目されているが、HfSiOの窒化処理をインサイチュで行うとしている。この装置もウェーハ間の隙間にガスを送り込むというRVP-500と同じ基本設計であるため、バッチ処理が可能なエピタキシャル装置だ。本格採用は45nm時代になるとみている。
(津田　建二)