米Mosys社とNECエレクトロニクスは、Mosysの1T-SRAMに関するライセンス契約を更新し、今後もパートナーシップを継続していく意向を示した。Mosysが開発した1T-SRAMは、90nmプロセスで製造されるNECエレクトロニクスの製品に使われる。

　NECエレクトロニクスの米国法人シニアテクニカルディレクタのTom Nukiyama氏は、「両社は、1999年3月にライセンスに関して合意した。他の技術にはない性能や密度、パワー特性が得られるため、Mosysの1T-SRAMを採用してきた」と述べている。

　民生用SOC（System on Chip）デバイスの設計では、高性能の混載メモリー技術が多く要求されるため、NECエレクトロニクスはパートナーシップを継続していきたいと考えている。同氏は、「1T-SRAMのメモリーは製造しやすく、コストを低減させながら性能を上げられるため、理想的な、言ってみれば究極の技術と言える」と付け加えて述べている。