米Freescale Semiconductor社と仏Soitec社は、歪みSOI（sSOI）基板を用いて、45 nmノードを採用したデバイスの試作に成功したと発表した。既存のSOI CMOSプロセスと互換性が高いだけでなく、電子移動度を70％向上させることができるため、両社は45nmノードのデバイスに歪みSOI基板を適用すれば、効果的にデバイス性能を引き上げられることを示した。

　両社は、65 nm以降の基板材料として歪みSOI基板を評価するため、2年前に共同開発を開始。SoitecのSmart Cut技術とFreescaleの先端CMOSプロセス技術を組み合わせ、歪みSOI基板上に45 nmノードのCMOSデバイスを世界で初めて動作させることに成功した。

　高性能チップで要求されるCMOS集積化の要件を満たすために、両社は密接に協力し、トランジスタ構造と歪みSOI基板の間における問題を解決した。Freescaleの先端製品研究所のディレクタでシニアテクニカルフェロー Joe Mogab氏は、「デバイスの最高性能を引き出す上で最も重要なのは基板の品質と均一性である。両社は協力して既存のプロセスを飛び越えることができた。すなわち、歪みSOI基板を部分空乏型デバイスにも適用できるようにし、さらにトランジスタ性能を劇的に改善することができた」と述べている。

　SoitecのCTO Carlos Mazure氏は、「Freescaleとの技術協力を通して得られた成果に大いに満足している。この提携は、基板材料メーカーと半導体デバイスメーカーが手を組めば、基板製造技術を加速させ、所望のデバイス性能に合わせて最適化できるという相乗効果が得られた好例と言えよう」と述べている。また、「電気的信頼性のデータでは、通常のSOIとsSOIの間で全く差が見られず、40 nmのトランジスタでも歪みの緩和が全く観察されなかった」と付け加えて説明した。