蘭ASM International社は、米大手半導体メーカーから300mmウェーハ対応ALCVD（Atomic Layer CVD）装置「Polygon」を受注したと発表した。65nmプロセス以降のメタルゲートも含めたHigh-kゲート積層構造の開発に使用される。今四半期中に出荷する予定。

　この半導体メーカーは、R&DラボでのHigh-kプロセス技術の開発にASMIの200mm対応装置を導入していた。このプログラムが300mmに拡張され、200/300mmブリッジツールである「Polygon 8300」にHigh-k成膜用ALCVDチャンバ「Pulsar 3000」とメタル成膜用のPEALD「EmerALD 3000」を搭載し導入する。引き続きASMIは、この半導体メーカーと65mm以降の高性能ロジックのメタルゲートを採用したゲート積層構造の共同開発を行うとしている。

　PulsarとEmerALDを搭載したPolygonシリーズは、現在、DRAM のMIMキャパシタや高性能・低待機電力ロジックICのゲート絶縁膜、フラッシュメモリーやFeRAMの絶縁膜の形成に使用されている。

　ASMIによると同社は、ALDによるHigh-kプロセス技術で市場をけん引しており、半導体メーカートップ15社のうち10社がASMIのALCVD装置を採用しているという。今回の受注を含めて、同社のALCVDによるHigh-kおよびPEALDによるメタルゲートをゲート積層構造に採用した工場は4カ所となった。