富士通と米MoSys社は、130nm技術ノードに引き続き90nm技術ノードでもMoSysの1T-SRAM技術を組み込む契約を締結したと発表した。期間や財政面などの詳細については明らかにされていない。

　富士通FCRAM事業部の事業部長 佐藤公昭氏は、「130nm技術ノードに引き続き90nm技術ノードでもMoSysの埋め込みメモリーIPを採用する事を決めた。ロジックLSIに大容量のMoSysの1T-SRAM-Qを搭載する事で、高性能かつ高密度のシステムLSIを提供していくことが可能になる」と述べている。

MoSys日本支社代表の島内 秀氏は、「富士通の130nmでMoSysの1T-SRAM-Q技術が評価されたため、今回の新しい共同プログラムに結びついた。2世代に渡たるプロセス技術で1T-SRAM 技術が利用可能になることにより、富士通は様々なシステム要求に対応する商品を提供できるようになる。富士通と長期的な協力関係を継続し、両社に成功がもたらされる事を期待している」と述べている。

　MoSysの1T-SRAM技術は、1トランジスタのビットセルを採用することにより、標準ロジック製造プロセスを使いながら、従来の4トランジスタや6トランジスタのSRAMを上回る高集積度を達成することができる。また、従来SRAMと同様にリフレッシュが不要で、高性能のランダムアドレスアクセスサイクルも実現する。さらに、消費電力を従来SRAM技術と比較して約4分の1まで低減している。 　これまでに、MoSysの1T-SRAM技術を採用し、8000万個以上のチップが製造されている。