米Applied Materials社は、RTP装置「Applied Vantage RadOx RTP」を発表した。これは高品質の酸化膜を成膜することが可能で、実績のある生産性の高いプラットフォームを採用している。独自のラジカル酸化技術を採用したことにより、従来のバッチ式装置と比較してデバイスのリーク電流を1/10に低減することが可能になり、特にフラッシュメモリーでは重要となる酸化膜の信頼性を10倍向上させている。また、省スペースで実績のあるプラットフォームであるため生産性も高く、半導体メーカーは製造コストを削減できる。
Vantage RadOxの優位性は、トンネルやONO構造の上下の酸化膜、STI（Shallow Trench Isolation）、ライナー、ゲート酸化膜などのフラッシュメモリーの重要な製造工程で実証されている。Radianceチャンバをベースにしているため、熱酸化炉と比べて高密度の薄膜を成膜することが可能で、よりなめらかな界面、高い絶縁性および成長速度を実現できる。
さらに、VantageプラットフォームにはRadianceチャンバを最大2チャンバまで搭載することが可能になっている。Vantageプラットフォームは2003年に投入されて以来、すでに半導体メーカーに100台以上出荷されている。
