米Mattson Technology社は、欧州DRAMメーカーからRTP装置「Helios」を複数台受注したと発表した。同社の90nm DRAMを製造する300mmウェーハ製造工場で、2005年5月から立ち上げが予定されている。Mattsonのバイスプレジデント兼副ジェネラルマネージャ Juergen H. Biangard氏は、採用の理由について「柔軟性があり、広範囲に渡ってアプリケーションを適用することが可能であるため、低コストで90nm以降の先端デバイスを製造することができる。量産工場で実績のある信頼性とプロセス制御性が高いため、すべてのRTPアプリケーションで使われるようになった」と述べている。
　
　 Helios 300mm RTPは、MBC（Model Based Temperature Control）が搭載されているため、最適な温度制御の調整が簡単に行うことができ、短時間でプロセス立ち上げを行うことが可能になっている。幅広い温度領域で温度制御が可能であるため、NiSi形成や極浅接合形成などの多くのRTPアプリケーションに対応できる。閉ループ制御で最低250℃から温度制御することが可能になっている。3 FOUP/2チャンバ構成により低CoO（Cost of Ownership）で、毎時120枚以上の高いスループットを実現する。