SICAS統計(世界半導体生産キャパシティ統計)は、2005年第1四半期(1Q)のMOS IC生産能力と生産稼働率をまとめた。MOS ICの生産能力(200mmウェーハ換算)は0.4μm以上0.7μm未満や0.16μm未満のプロセスが2桁伸びたことから、全体では前期比3.0％増の140万3900枚/週となった。一方、生産設備の稼働率は同比0.9ポイント減の85.6％となった。

　MOS ICの生産能力は2004年1Qが前四半期に対し2.4％増、2Qが同2.5％増、3Qが同3.7％増と拡大してきたが、4Qは1.3％と伸びが鈍化し、2005年1Qは再び伸び率が回復した。加工精度別生産能力は0.4μm以上0.7μm未満が14.2％増、0.16μm未満が13.6％増と大きく伸びるなか、0.16μm以上0.2μm未満が20.0％減と大きく落ち込んだ。

　2005年1Qから0.16μm未満を2つに細分し、0.12μm以上0.16μm未満は28万5900枚/週で、0.12μm未満は28万8500枚/週となった。MOS ICの生産稼働率はすべての加工精度で低下したが、特に0.2μm以上0.3μm未満で6.9ポイント低下するなど減少幅が大きかった。こうした中、0.12μm以上0.16μm未満は稼働率が92.8％、0.12μm未満も96.0％で90％台をキープした。MOS ICに占めるファウンドリウェーハの生産能力は、2004年4Qに比べ11.3％の増加で、23万2700枚/週となった。その半面、2005年1Qの生産稼働率は同6.3ポイント減少の75.2％となった。

　300mmウェーハの生産能力は前期比 24.5％増の9万500枚/週となり、生産稼働率は同比5.5ポイント増の92.8％となった。SICASは世界の主要半導体メーカー42社が参加する組織で、1995年2月に発足した。