富士通とセイコーエプソンは、次世代FRAM（Ferroelectronic Random Access Memory）技術の共同開発をすることに合意したと発表した。今回の合意した内容では、両社が保有するFRAM材料や微細化プロセスなどの要素技術を融合させ、従来のセル面積の1/6まで縮小化させた高密度FRAMの開発に取り組む。これと合わせて、両社は書き換え回数の制約が少ないメモリーコアのプロセス技術の確立を2006年上半期までに目指す。