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2005年06月24日

Samsungが90nmプロセスで512Mビットのグラフィックメモリー
(DDR3 DRAM)を開発
 韓国Samsung Electronics社は、512Mビットのグラフィックメモリー(DDR3 DRAM)を開発したと発表した。このグラフィックメモリーは90nmプロセスで製造されおり、動作速度が2.0Gbpsで転送速度が最大8.0Gbpsと速いため、PCやワークステーション、ゲーム機上で高品質かつ高速動作が必要な画像やアニメーションに向いている。

 また、同時に2004年12月に開発した動作速度が1.6Gbps(転送速度は6.4Gbps)の512Mビットのグラフィックメモリー(DDR3 DRAM)の量産を開始したと発表した。16個のメモリーを組み合わせて最大1.0Gバイトのグラフィックカードに使われている。

 米国調査会社のMercury Research社は、グラフィックメモリーの市場は2005年に前年比42%増の15億米ドル、2006年には20億米ドルになると予想している。Samsungは2002年に1.0Gbpsの128Mビットのグラフィックメモリー(DDR1/ DDR2 DRAM)製品を市場に投入して以来、グラフィックメモリーの拡充を図っている。

 
 
関連情報>> 韓国Samsung Electronics社(ニュースリリース)
   
関連ニュース>> 【DRAM&SRAM】
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【FRAM】
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