2005年6月のニュース

• KLA-Tencor、RudolphとAugustの買収合意に対し声明を発表(2005/06/30)
• AMATがSCPの枚葉洗浄装置部門を買収、洗浄装置市場に再参入狙う(2005/06/30)
• 富士通が256バイトFRAM内蔵RFIDを8月に発売、EEPROM搭載品と同等コストで高速な読み書きが可能(2005/06/30)
• コマツ、多結晶Si事業の米国子会社ASiMIを売却へ(2005/06/30)
• Electronics Newsから：Freescaleが欧州の研究プロジェクト「NANOCMOS」に参加(2005/06/28)
• VLSI Researchが2005年の製造装置市場は前年比3％減と予測、5月のBBレシオは0.91、6月は0.93に(2005/06/27)
• Samsungが90nmプロセスで512Mビットのグラフィックメモリー（DDR3 DRAM）を開発(2005/06/24)
• 日本IBM/新潟精密、年内にPoP実装量産ラインを共同開発(2005/06/24)
• エルピーダが80nmプロセスを適用し2GビットDDR2 SDRAM開発に成功年内に本格量産を開始(2005/06/24)
• Electronics Newsから：価格競争の影響でNOR型フラッシュ市場は一時縮小、2009年には71億ドル規模に拡大(2005/06/23)
• 日立ハイテク/トッキ、マルチチャンバ式有機EL蒸着装置をUniversal Displayに納入(2005/06/23)
• 大日本スクリーン製造、65nm以降に対応した短リードタイムの300mm洗浄装置を発表(2005/06/22)
• 富士通が16KビットFRAMを搭載した8ビットMPUを発売(2005/06/22)
• シャープ、端子ピッチ0.5mm間隔の3次元SiP技術を開発(2005/06/21)
• ルネサス/日立、多値AG-AND型フラッシュメモリーの高速書き込み技術を開発、ホットエレクトロン注入速度を20倍高速化(2005/06/21)
• ひずみSiトランジスタを高耐圧／低リーク電流化しアナログICに適用(2005/06/21)
• 日本電気硝子が第8世代ガラス基板の生産ラインを新設(2005/06/21)
• NECと東芝が多層構造をもつMRAMセルを共同開発　従来比5倍の書き込みマージンの拡大と書き込み電流の低減を実現(2005/06/21)
• 富士通研究所がMRAMの新しいメモリーセルを考案　MTJ素子のばらつきを低減、大容量化が容易に(2005/06/21)
• NEC/半導体MIRAIプロジェクト、45nm対応の多孔質Low-k膜の成膜技術を開発 (2005/06/20)
• 横河電機が化合物半導体チップの開発/生産拠点を新設 (2005/06/20)
• アドバンテスト、MCPメモリー用の高スループットテスターを発売 (2005/06/20)
• 日立製作所とルネサス テクノロジ、ゲート絶縁膜/電極界面に極微量のHfを添加することでキャリア移動度を向上(2005/06/17)
• ベルギーIMEC、ゲートスタック技術とMuGFETの研究成果をVLSIシンポで発表 (2005/06/16)
• シャープ、半導体工場の無希釈排水から窒素を90％以上除去する技術を開発 (2005/06/16)
• 日立とエルピーダが情報機器向けの低電力DRAM回路技術をVLSIシンポで発表(2005/06/16)
• 富士通とセイコーエプソン、次世代FRAM技術を共同開発(2005/06/16)
• TI、完全シリサイド化Niシリコンゲートの微細化などをVLSIシンポで発表(2005/06/15)
• 富士通研究所、Niシリサイドゲート電極トランジスタのしきい値電圧制御技術を開発 (2005/06/15)
• InfineonがDDR3 DRAMをサンプル出荷開始 大量生産は2006年後半を予定(2005/06/14)
• Electronics Newsから：ATI、Cadence、TSMCがXアーキテクチャによるLSIを製造、2005年末には量産へ(2005/06/14)
• 仏携帯電話メーカーにSpansionの512MビットNOR型フラッシュメモリーが採用(2005/06/14)
• Electronic Newsから：2008年までに中国に20の半導体工場が新規建設予定、SEMIが発表(2005/06/13)
• Samsungが成功した理由(2005/06/10)
• 2005年の半導体は成長、製造装置市場は転落、Dataquestの見解(2005/06/10)
• IntelとKLA-TencorがDFM関連企業に投資(2005/06/10)
• トヨタの半導体戦略が明らかに(2005/06/10)
• NEC/NEC液晶テクノロジー、DRAMをガラス基板上に集積　画像フレームメモリー機能を持つSOG-DRAMを開発(2005/06/10)
• Electronics Newsから：ACM、Cuバリア膜の除去が不要なULKプロセス技術を開発(2005/06/09)
• 日立が台湾PCモニターメーカーを提訴(2005/06/09)
• NovellusとSEMATECH、比誘電率2.2未満のUltra Low-k絶縁膜を共同開発(2005/06/09)
• セイコーエプソン、Sarnoff EuropeとESD保護技術のライセンス契約を締結(2005/06/08)
• Electronic Newsから：NECエレ、モデルベースの歩留まり解析技術で90/65nmのデバイス設計に成果(2005/06/08)
• IBM/ Chartered/Samsungが65nm技術ノードの設計キットを共同開発(2005/06/08)
• Electronics Weeklyから：東芝がフラッシュメモリー生産の主軸をNOR型からNAND型に移行(2005/06/07)
• FOAにSpansion、AMAT、National Semiconductorが新規加入(2005/06/07)
• CharteredとNovellusがCu CMP技術を共同開発、CMPのコスト削減に着目(2005/06/07)
• AMATが明視野検査装置市場に参入、KLA-Tencorに対抗(2005/06/07)
• AMATが2004年エッチング装置市場でシェアを拡大(2005/06/06)
• 富士通研究所、ポーラスLow-kを全面採用、45nm世代多層配線技術の開発に成功(2005/06/06)
• InfinionとNanyaが300mm製造ラインで90nm DRAMを量産開始(2005/06/06)