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2005年07月12日

サムスン、ストレージ分野を中心に
年率平均21%のメモリー事業を推進

 サムスン電子は、3G携帯電話では、メモリー使用量が2004年から2008年までに個数ベースで年率平均21%の成長率で増えるという予測を、SEMICON West 2005の前日、7月11日(米国時間)に開かれた、2005 Electronic Product Minitualization Symposiumで明らかにした。これはメモリーのビット数が、通信と民生向けに急成長するパラダイムシフトが起きているからだと同社テクニカルマーケティング担当バイスプレジデントのJon Kang氏は言う。2005年に46%の通信、民生用メモリーは、2007年には56%と過半数を占めるようになる。特に、ストレージの分野で、従来のCDからフラッシュに移行するとしており、現代の3Cすなわち、コミュニケーション、コンピュータ、コンシューマの電子機器が携帯電話に統合されるという。MP3プレーヤなどの音楽やテレビ受信機、ナビゲーション機能などは携帯電話に統合される。

 メモリーの集積度は、ムーアの法則を上回る年率2倍の速度で上がるという開発計画だ。1999年に256Mビットフラッシュメモリーを開発して以来、2000年に512Mビット、2001年1Gビット、2002年2Gビット、2003年4Gビットに続き、2004年のIEDM(International Electron Devices Meeting)において8Gビットを発表している。60nmルールによる8GビットNANDフラッシュメモリーは今年中に市場に出てくる予定だ。2003年に3億1000万個だったNANDメモリーは512Mビット品換算で、2007年には64億個に成長すると考えている。

 1パッケージ内に8チップを積層した、全3.2Gビットのメモリーの例では、4チップ積層したときと同じ1.4mmの厚さに収容している。8チップの中にはDRAMやNAND, NORのフラッシュなどを含む。こういったマルチチップパッケージ(MCP)の次には、マルチスタックトパッケージ(MSP)の時代がくると見ている。これは、積層したMCPをさらに積層する技術で、メモリーやプロセッサの組み合わせの自由度が今よりも上がることになり、携帯電話に使われるだろうという。
(津田 建二)



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