レーザーソリューションズは、高硬度半導体ウェーハ用レーザー微細加工装置「ラピュラスIIシリーズ」の販売を8月1日に開始する。同装置を使用すると、サファイアなどの高硬度ウェーハによるLED、LD、高周波デバイスなどのチップをスクライブ加工（ダイシング）できる。
同装置は、既存製品「MP-T2030」に高速化/浅溝加工レシピ、レーザーパワー、オートローダーマガジン、オートフォーカス/オートアライメント（AF/AA）などのオプションを追加することで、少量生産から量産までさまざまな生産規模に対応できる。主なオプションの概要は以下の通り。
- 高速化/浅溝加工レシピ：
同社独自の加工モードにより、LED、LDなどのエピタキシャル層への影響を軽減し、サファイアなどの加工部位の透過率低下を最小限に抑える。ステージ部の制御系に追加したソフトウエアおよびハードウエアにより、従来比約3.5倍に相当する1時間当たり11枚という高い生産性を実現した。加工走行速度は最大300mm/秒
- レーザーパワー：
10W（繰り返し周波数10kHz）と2W（同30kHz）のほか、将来異なる出力のレーザーも選択できる
- オートローダーマガジン：
最大で3台まで選択可能
ステージ部の構成はXYZθの4軸方式。有効ストロークはX軸270mm、Y軸170mm、Z軸10mm、θ軸360°。分解能は、X軸が0.5μm、Y軸およびZ軸が0.2μm、θ軸が0.00058°。
国内における税込み価格は4,000万円〜7,700万円。初年度に10台の販売を見込む。
