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2005年07月29日

Honeywell、Albany Nanotechと協力し半導体材料開発に注力
ALD材料への重点的な投資を決定
 米Honeywell社は、米Albany NanoTechとの共同研究活動に、今後5年間で最低500万米ドルを投資する予定と発表した。Honeywellは次世代半導体材料開発に取り組むために、Albany NanoTechにラボを設置するとともに、研究員を派遣する。
  Honeywellは、Albany NanoTechにおける研究活動で、メタル材料と原子層蒸着(ALD:Atomic Layer Deposition)関連材料の開発に重点的に取り組む。また、次世代のHigh-k材料の開発にも主眼を置くとしている。

 Albany NanoTechは、ニューヨーク州立大学Albany校のナノスケール科学工学部 (CNSE)およびニューヨーク州ナノエレクトロニクスエクセレンスセンター(NYSCEN)の本部となっており、200 mm/300 mmウェーハ対応の製造設備を設置している。その中には、6万5000ft2を上回る300 mmウェーハ対応のクラス1クリーンルームを有し、次世代プロセスの開発が行われている。

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