米Cree社は、100mm（4インチ）のSiC基板（nタイプ）およびエピウェーハの受注を開始したと発表した。SiCは高性能な半導体材料で、パワースイッチングデバイスやLED、RFパワートランジスタなどで広く使用されている。

　同社材料部門のジェネラルマネージャLyn Rockas氏は、「半導体産業向けに100mmのSiC基板とエピウェーハの量産体制を確立した」と会見の中で述べた。「100mm以上の単結晶SiC基板が製造されれば、現在の75mm（3インチ）基板と比べてユーザーは、1枚のウェーハで2倍のデバイスを製造することができる」と同社は説明した。

　同社先端デバイス部門のバイスプレジデントJohn Palmour氏は、「100mmのSiC基板とエピウェーハの開発において、米国陸軍研究所と米国国防総省高等研究計画局の多大な協力に感謝している。この製品の量産化を行えば多くの利益を得られるであろう」と述べた。
(Electronic News)