仏Soitec社とオーストリアSEZ社は、歪みSOI（sSOI）ウェーハの製造技術で共同開発プログラム（JDP）を開始したと発表した。このJDPでは、Soitecがウェーハ加工技術にSEZの枚葉式ウェットエッチング技術を活用し、sSOI製造においてGeを完全に除去する新しいウェットエッチングプロセスを開発する。

　SiGeは、sSOIで必須のSi層の歪みを生成するための材料であり、Geを除去できればsSOIの製造プロセスに大きなインパクトを与えるという。SEZの枚葉式ウェットエッチングプロセスにより、Geのエッチング処理時に選択的制御を行い、下地の材料層にダメージを与えることなく対象となる材料だけを除去することを可能にする。