日立化成工業は、独自の自己活性型CeO₂粒子系CMP（Chemical Mechanical Planarization）スラリーを開発した。同技術により、不用なSiO₂被膜を傷を抑えながら高速で除去し、平坦化することが可能となった。同社では、同技術の基本特許を取得したと発表している。

　Si酸化物の被膜用CMPスラリーには、従来シリカ系CMPスラリーやCeO₂粒子系スラリーが用いられてきた。しかし、研磨傷の抑制と高速研磨を両立させることは難しく、研磨傷は製品の不良率を増加させてしまうという。同社は、保有する各種セラミック製造技術をCMPスラリーの研磨粒子に応用することで、研磨傷を大幅に低減し、高速で研磨できる自己活性型CeO₂粒子系CMPスラリーの開発に成功した。

　同技術では、CeO₂粒子自体に結晶粒界を持たせることで、CeO₂粒子を押し付け圧力で崩壊させ、新たにSiO₂被膜と化学反応させやすい活性化面を発現させる。これにより、従来のCeO₂粒子系CMPスラリーの研磨速度を向上させながら研磨傷を抑制することが可能となっている。