KLA-Tencorは、65nmプロセス以降に対応する電子ビーム(EB)検査装置「eS32」を発表した。既存の「eS30」、「eS31」のプラットフォームを利用し、65/45nmプロセスにおいてトランジスタ形成工程（FEOL）から配線工程(BEOL)までの歩留まりを低下させるシステマチック欠陥の検出を可能にした。

　従来装置であるeS30やeS31は、ロジック製造ラインにおけるCu配線絡みの欠陥検出に使用されていた。eS32は、この65nmの壁を突破するとともにトランジスタ形成工程へも対応した。これにより、FEOLで問題とされているNiSiや歪みSiなど新材料や新構造の採用が可能になるとしている。

　また、DRAMメーカーは、製品開発サイクルが短く、短期間での垂直立ち上げが求められており、さらに、微細化も加速している。特にDRAM製造では、FEOLとBEOLともに高アスペクトレシオのビアやキャパシタにおける歩留まりに影響する物理的な欠陥の高精度に検出する必要があり、同装置にはこれらの要求に対応できるようになったとしている。

　eS32では、物理的およびボルテージコントラスト像の感度を向上し、欠陥発生原因の特定を速めた。EBのエネルギー範囲を広げることで、エッチング後にコンタクトホールが突き抜けていないというような欠陥に対しても対応できるようになった。新しいEBの電流と柔軟性の高いスキャニング機能により、高い抵抗値を持つ材料やNiSiや歪みSi導入に際し埋もれてしまった微細な配線の短絡などの検出ができる機能も用意している。欠陥検出に使用されるイメージセンサのピクセルサイズを小型化し増加することで高アスペクトや密パターン上の物理的欠陥も検出する。

　同社は、同装置を含めた最新の歩留まり管理およびプロセス制御関連の製品を米カリフォルニア州San Joseで2月21〜22日に開催されるSPIE Microlithography 2006で出展する。