米Rochester Institute of Technology（RIT）大学の研究グループが、エバネッセント光（近接場光）リソグラフィ（EWL：Evanescent Wave Lithography）と呼ばれる露光技術を開発した。EWLを利用すると、従来よりも微細なパターンの露光が可能になるという。この研究グループは、EUV光源以外では実現不可能だった26nmという解像度での露光に成功した。

　RITマイクロエレクトロニクス教授のBruce Smith氏（同氏はRITのKate Gleason College of Engineeringナノリソグラフィ研究センターディレクタも兼任する）は、「EWLでは、可視光の波長に比べ1/20未満の解像度が可能」と述べる。さらに同氏は「国際半導体技術ロードマップ（ITRS：International Technology Roadmap for Semiconductor）の予測よりも、少なくとも5年前倒しで開発が進んでいる」とした。

　「液浸リソグラフィは、光学系による画像処理の限界を高めてきた。EWLは液浸リソグラフィによる微細化を、今後もさらに進めることができる」（同氏）

　Smith氏の研究グループは、米国カリフォルニア州サンノゼで開催されるMicrolithography 2006（2月19日〜24日）の中で、EWLに関する発表を2月22日に行う予定だ。
（Michael Saffran, RIT News Service）

(LexisNexis)