米IBM社は、ArF（193nm）リソグラフィ技術を使用しライン幅29.9nmの解像に成功したと発表した。今までArF液浸技術を高屈折率液体により改良しても32nmよりも微細なパターンを形成できるとは考えられていなかった。今回、IBMは新しくJSRが開発した新素材を使い、高屈折率液浸技術を採用し、32nm以降へのArF液浸リソグラフィ導入の可能性を示した。

IBMが作成に成功した幅29.9nmのラインパターン（写真左）と 現在量産されている90nmプロセスのパターン（写真右、画像倍率は同じ）。

　IBMは、干渉液浸リソグラフィテスト実験装置「NEMO」を開発した。NEMOは、2本の交差するレーザーを使って明暗干渉パターンを生成することができ、IBMではNEMOを各種高屈折率流体やレジストの研究やテストに使っている。今回の研究成果では、NEMOのレンズと流体の指数は約1.6で、レジストの屈折率は1.7となった。今後は、屈折率1.9のレンズ、流体、レジストを開発することを目標とするという。また、商用化を目指す際には、屈折率の高いレンズ素材を開発することが必要としている。

　同技術は、米国カリフォルニア州サンノゼで開催されるSPIE Microlithography 2006で発表される。発表するのはIBMの研究開発部門、IBM Research。同研究所は、米国カリフォルニア州サンノゼに拠点を置き、30年近くに渡り電子応用技術のための有機素材科学および応用技術の最先端にある。1980年代初めには、化学増幅型レジストを開発し業界が直面していた問題を解決した。化学増幅型レジストは、現在ではKrF/ArFレジストでは必須のものとなっている。