蘭ASML社は、米国カリフォルニア州サンノゼで開催されるSPIE Microlithography 2006において開発中の先端リソグラフィ技術の進捗状況を発表した。
同社の先端のArF液浸露光装置「TWINSCAN XT:1700i」は、42nmのパターン転写に成功した。XT:1700iを数世代にわたり使用できるという確証を得たとしている。XT:1700iは、同社4世代目の液浸露光装置で、開口数（NA）は1.2。光学系にはカタディオプトリック（反射屈折光学系）を採用し、現行最先端のArFドライ露光装置よりも解像度30％向上しているという。42nmのパターン形成のピッチは84nm、焦点深度は1μm、フィールドサイズは26×33mmと公表された。
ASMLは、XT:1700iの量産を2006年第2四半期より開始し、半導体メーカーの45nmプロセスへの移行に間に合わせる計画。すでにASMLは液浸装置13台を出荷している。また、ドライ液浸プロセスからウェットへの同社初のフィールドアップグレードも受注したという。同社は液浸へのアップグレードが可能な装置を50台以上納入しており、65nmプロセスから焦点深度を稼ぐ目的で多くのアップグレードが行われると見込んでいる。
さらに同社EUVリソグラフィ露光装置のα機（ADT、Alpha-Demo Tool）は、デモにおいて35nmの解像に成功したとしている。初めの2台のα機はすでに組み立てられており、現在は光学系や光源、測定用センサー、レチクルステージ、搬送系は認定作業を終了、光源および投影光学系の最終認定作業に入っているとしている。
ASMLは、NA 0.25のEUV露光装置を2006年第2四半期中に米ニューヨーク州の研究機関Albany NanoTechとベルギーIMECに出荷する計画。
