図1 透過型電子顕微鏡による新材料の断面

　東京工業大学、富士通研究所および富士通は、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)用に、記憶保持能力を現行の5倍以上にできる新材料を開発した。180nmプロセスと同様の構造で65nm FeRAMの開発が可能となり、メモリ容量を現行の1Mビットから256Mビットへと大容量化できるとする。
　同技術は、東京で開催中の応用物理学会講演会で発表された。同技術の開発で、東京工業大学は文部科学省科学技術振興調整費を受けている。

　富士通が現在製造しているFeRAM用の材料には、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT、Pb(Zr,Ti)O₃)が採用されている。PZTでは記憶保持能力の制約から微細化に対応できず130nmプロセスが限界とされてきたという。今回開発した材料は、強誘電材料ビスマスフェライト(BFO、BiFeO₃)に微量のMnを添加したもの。リーク電流を低減し、記憶保持能力(残留分極量)を現行材料の5倍以上にあたる180〜220μC/cm²とした。
　富士通では今後、同材料を用いてFeRAM混載LSIとしての組み込み技術を確立し、2009年の90nmFeRAMからの実用化を目指すとしている。