エプソン、100nsecの書き込みサイクル時間を
実現したFeRAMを開発

　セイコーエプソン(エプソン)は、FeRAMにおいて、従来製品と比べて10倍の書き換え回数の向上を実現した。
　同社はFeRAM用材料の一つであるチタン酸ビルコン酸鉛(PZT)の構成元素のうち、チタンの量を20〜30倍強のニオブに置き換えた強誘電体材料(PZTN)を開発、メモリーとしての実用化を進めていた。今回、同社は0.35μmCMOS技術ベースに新材料を用いることで高耐久なFeRAMの開発に成功。EEPROMと比べて10万倍以上、従来比10倍以上の書き換えができ、3msecに一回のデータ更新を10年間に渡って行える耐久性を実現した。書き込みサイクル時間は100nsを達成、さらに低消費電力CMOS技術によって従来比1/10から1/100のスタンバイ電流を実現している。
　なお、同成果は11月15日から開催される「Embedded Technology2006/組込み総合技術展」にて参考出展される予定。

＜今回開発したFeRAM技術の概要＞
製造プロセス：0.35μm
電源：3V単一電源動作
構造：スタックド構造
最大集積度：512Kbitを予定(開発参考品は64Kbit)
動作温度範囲：-40℃〜85℃
アクセス時間：75nsec