東レ、未硬化のままダイシングまで行えるエポキシ系接着剤を開発

　東レは、ナノ構造制御技術を駆使してSiウェーハ上にラミネートした後、未硬化のままウェーハと一括でダイシングが可能なエポキシ系半導体実装用接着剤を開発し、同剤を用いたフリップチップ接続用WL-NCF（Wafer Level Non-conductive Film）技術を確立した。同技術により、LSI実装面積の極小化と工程簡略化が実現でき、FPDの小型化や生産性向上などへの応用が期待される。同社は今後、半導体メーカーとの共同開発を進め、1〜2年後の実用化を目指す。
　通常、LSIと回路基板の間には、両者の電気的接続の長期信頼性向上のために樹脂が充填されているが、回路基板上にLSI1個単位で個別にアンダーフィル塗布やACFの貼り付けを行っていたため、工程数が多く時間がかかり、LSIよりも一回り大きい実装エリアが必要、といった課題があった。またCOG実装におけるACFを用いた工法では狭ピッチ化の限界などのより、新たな解決法が求められていた。同社では、ダイシング工程で樹脂層に発生する亀裂や欠け発生のメカニズムを解析し、未硬化状態での特殊な多成分系のナノ相溶体がダイシングに適した機械特性を発現することを見いだし、未硬化状態では熱流動特性、機械特性、表面粘着性、光学特性、硬化後は低線膨張係数、高接着力を有するエポキシ系WL-NCF用接着剤を開発した。樹脂未硬化状態において、80℃程度のラミネート工程では高い流動性を有するが、その後のダイシング工程では切削に耐える機械特性を有し、かつ流動性、粘着性がないために切削粉の表面への付着を抑えることが可能。また、透明性が高く、ダイシング工程や実装工程において位置制御に必要なLSI上のアライメントマーク認識が容易である。さらに、樹脂硬化後は85℃/85％Rh環境下2000時間においても剥がれが生じない高い接着力を実現した。
　使用方法としては、バンプなどの回路基板への接続用電極が形成されたウェーハ上に熱ラミネートし、従来と同様にLSIの電極面側からダイシングする。これにより、電極面上にLSIチップと同面積のNCFが形成されたLSIチップが個片として切り出される。これを200℃で10秒程度加熱するフリップチップボンダなどで回路基板に実装することで電極周囲の樹脂充填までの工程を完了する。
　同技術を用いることで工程の簡略化や実装面積の極小化が見込まれ、LCD駆動LSIのCOG実装での狭額縁化などが期待される。