台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)社は2007年4月、45nmプロセス技術の認可取得間近にあり、2007年9月にも生産を開始する予定であることを発表した。同社によれば、この45nmプロセスの新技術は、最先端の193nm液浸フォトリソグラフィ、高性能の歪シリコン、超低誘電率(ELK：extreme Low-k)の層間絶縁膜材料を組み合わせたものだという。

　TSMC社の45nm低消費電力プロセスは、65nmプロセスの倍の集積度を実現し、それによって消費電力とチップ当たりの製造コストを大きく削減することができるという。TSMC社は、「最終的には実現可能な機能の4割拡大、もしくはチップサイズの4割縮小が見込まれており、さらに消費電力の削減も達成できることになる」としている。

　さらに、同社の45nm汎用プロセス/高性能プロセスは、1つ前の世代で同程度のリーク電流であった製品に比べ、倍以上の集積度と3割以上の高速化を達成しているという。

　TSMC社の最大のライバルである台湾UMC(United Microelectronics Corporation)社は、実用レベルの45nm SRAMチップを製造したことを2006年11月に発表していたものの、量産開始時期については言及していなかった。一方で、米Intel社は、独自に開発した45nm製品である「Penryn」を2007年の後半にも出荷予定であると発表している。

(Electronic News)