HOYAは、米Molecular Imprints社のナノインプリント・リソグラフィ技術であるS-FIL（Step and Flash Imprint Lithography）に使用する石英モールドの試作に成功したと発表した。
　同社が試作した石英モールドは、米IBM社の「Storage-Class Memoryプロジェクト」における評価デバイスに用いられた。同プロジェクトは半導体製造技術を利用した低価格、超高密度、高信頼性、不揮発性の固体記憶装置により、現在の企業用サーバに用いられる大規模記憶装置などの代替を目指すプロジェクト。その成果は2007年5月31日、米国コロラド州デンバーで開催された第51回EIPBN国際会議にてIBMのM.W.Hart氏によって発表された。HOYAがモールドを開発試作、Molecular Imprintsがナノインプリントによりパターン形成を行った。LWR（Line Width Roughness）は2.6nmを実現、量産レベルでArF露光で可能とされる5～8nmレベルの半分にまで低減することに成功した。
　IBM、Molecular Imprints、HOYAの3社の技術成果を結集し、ナノインプリントと既存ArFリソグラフィとの組み合わせ技術により、S-FIL技術を200mm CMOSプロセスに組み込むことに成功。これにより、S-FILが32nm以下の微細構造加工を低価格で量産する有力な加工技術の一つであることを実証、ナノインプリントによる半導体デバイス量産の実現に向けて一歩を踏み出したとしている。