米IBM社とTDKは、スピン注入磁化反転法を適用した次世代大容量MRAMの共同研究開発を開始したと発表した。
　IBMはこれまで、MRAMメモリー技術開発、MTJ（Magnetic Tunnel Junction）要素技術の研究開発、メモリーにおけるスピン注入磁化反転法の予測および研究を行ってきた。一方、TDKはMTJ技術をHDD向け記録ヘッドに適用してきた。両社は磁気データ記録のための材料や設計においても多くの研究成果と特許を保有しており、両社が培ってきた新しいメモリー技術や磁性素子開発の専門知識を活用することで高密度・高容量のMRAMの実現を目指すという。
　MRAMは低消費電力・高速動作・書換え耐性・不揮発性などの点で、他のメモリー技術と比べて優れた特徴を有しているが、コスト効率よく高容量化することが課題であった。両社は、MRAMの特徴を維持しつつスピン注入磁化反転法を適用することで、現行の磁化反転方式と比較してメモリーセルの小型化が可能となり、高いコストパフォーマンスで大容量化が可能になるとしている。これにより今後は、車載、携帯電話、ハンドヘルドPC、産業機器向けメモリーなどへの応用が期待される。