精工技研は、これまで培ってきた精密研磨技術を応用することで、次世代の半導体基板材料として期待されているSiCウェーハを高速かつ高精度に研磨加工する技術を確立したと発表した。

　SiCは、現在の半導体基板材料の主流となっているSiに比べて、高電圧に耐え、高温に強く、電力損失が少ないという特徴を持つ。そのため、発電や送電などの電力設備、通信システムや工場などの電源装置、電車や自動車の駆動装置など、高電圧・高電流を制御する装置に用いられる半導体基板材料として期待されている。しかし、SiCは硬いため研磨加工が難しく、半導体基板として広く普及するためにその量産化技術が課題とされていた。

　精工技研では、従来から保有している精密研磨技術に、産業技術総合研究所（産総研）の公開技術を導入することで、SiCの単結晶としての物性を引き出せるSiCウェーハの研磨量産化技術を開発することに成功した。新技術の特徴として、SiC結晶に余分な圧力を加えずに研磨加工を行うため加工ひずみを低減でき、ウェーハの面精度も向上したという。表面粗さは、エピタキシャル膜成長に必要とされるRa値の0.3nm以下を超える、0.1nm以下のRa値を達成。研磨時間の短縮によって量産効率を高めており、次世代半導体基板として期待されているSiCの実用化を実現レベルまで引き寄せる技術を確立できたとしている。なお、同研磨技術は白色LEDの基板材料となるサファイヤやGaN、ZnO結晶などの加工にも応用が可能という。

　同社では、2007年7月から新技術による研磨仕上げのSiC基板を各種研究機関やデバイスメーカーの開発部門に向けてサンプル出荷を開始している。本社工場（千葉県松戸）にて小ロットでも対応が可能な製造体制を整えているが、今後は量産に向けた体制を構築していくという。