物質・材料研究機構（NIMS）は、光材料センター光電機能グループの大橋直樹グループリーダーらが三菱ガス化学と共同で、液相エピタキシー（LPE）法による大面積ZnOウェーハ製造技術を開発したと発表した。
　近年、水熱合成技術によって育成された純ZnO単結晶ウェーハが供給され、ZnOに関する研究開発が促進されてきた。一方、電子デバイスを構成する上ではドーピングを施したウェーハや、添加物を加えてバンドギャップ幅を制御した固溶体ウェーハが有用であるが、水熱合成法での固溶体ウェーハ製造が困難であるという課題があった。また、量産化を見込む上では、大面積のウェーハが必要とされていた。
　両者は、三菱ガス化学が培ったLPE技術とNIMSが培ったワイドギャップ半導体結晶技術を連携させて開発を進めた。LPE法は低融点の融剤に溶かし込んだ原料を基板上に結晶成長させる技術であり、種々の副成分を添加した結晶の育成が可能である。例えば、Alを添加して高い伝導性を付与したZnOや、MgOとの固溶体化によって、純ZnOに比べて、バンドギャップを拡張した酸化亜鉛などの様々な特性をもったウェーハ製造が可能。また、LPE法は大面積ウェーハの製造に適した製造技術である。今回は、融剤中にZnO以外に、MgO、Al2O3などの原料を供給し、この融液に純ZnOの単結晶ウェーハを接することで添加物や不純物を加えたZnOを純ZnOウェーハ上に高品質に成長させる技術の開発に成功したという。
　ZnOは、GaNと同じ結晶構造、同様のバンドギャップを有し、オプトエレクトロニクス材料として注目され、国内外で盛んに研究開発が進められている。今回の大面積固溶体ウェーハ製造技術の確立により、研究開発および酸化物エレクトロニクスデバイスの実用化が加速することが期待される。
　なお、今回の成果は、2007年9月に北海道工業大学にて開催される応用物理学会講演会にて発表される予定。