メモリー業界では、これまでに多くのDRAMメーカーが反競争的行為に関与してきた。これに関連する新たな動きとして、北米2カ国の政府機関がNAND型フラッシュメモリー市場における反トラスト法違反行為の申し立てに関する調査を開始した。
　米SanDisk社が2007年9月に米国証券取引委員会（SEC）に提出した法定開示書類によると、同社は同年8月31日に北カリフォルニア地方裁判所に提起された消費者保護のための集団訴訟において、被告24社のうちの1社として名前が挙がっていたという。訴状によると、SanDiskなどの被告各社は、「州法および連邦法に違反してフラッシュメモリーの価格を固定化/引き上げ/維持/安定化させようとする共同謀議」に加わり、またその行為を隠蔽しようとしたとされている。

　同訴訟は、フラッシュメモリーの購入者層に代わって提起されたものだという。金銭的な詳細は明らかにされていないが、補償、差し止め、賠償などの請求が行われている。

　またこの法定開示書類で、SanDiskは北カリフォルニア地方裁判所が発行した大陪審の召喚状を同社およびCEOが受け取ったことを明らかにしている。それによると、米司法省はNAND型フラッシュメモリー業界に対して反トラスト法違反の疑いで調査を行っている。また、カナダの競争局の通達も同社に届いており、同局もNAND型フラッシュメモリーチップをカナダに供給している各社を対象とし、反競争的行為に関して業界全体に及ぶ調査を独自に開始しており、同社に対して当該調査関連の記録を保全するよう要請があったという。SanDiskはこの調査に協力する意向。

　SanDiskをはじめとするNAND型フラッシュメモリー各社は、調査の結果、反トラスト法に違反する行為が立証されれば、多額の賠償金を支払う用意があるようだ。これまでサンフランシスコ地方裁判所は、明らかになったDRAMカルテルの加担者に対して総額で7億3000万ドル以上の罰金を課している。これは米司法省によれば、米国の反トラスト法犯罪調査でこれまでに課された罰金の総額としては2番目に大きいものとなる。この調査は2002年に開始されて以来、米Micron Technology社、独Infineon Technologies社、韓国Samsung Electronics社、韓国Hynix Semiconductor社、エルピーダメモリといったDRAM業界の強力プレイヤの多くが手を染めた不法行為を摘発している。


（Electronic News）