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UMCとエルピーダ、Cu/Low-k技術によるメモリー共同開発プログラムに合意
[issued: 2007.10.24]
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台湾ファウンドリのUMC社とエルピーダメモリは、Cu/Low-k技術を使ったDRAMおよびPRAM（phase change random access memory：相変化メモリー）の共同開発プログラムについて基本合意したと発表した。
今回の提携により、エルピーダのDRAM技術とUMCのCu/Low-kプロセスを融合させて先端DRAMの開発を目指す。UMCはエルピーダへ先端DRAMの生産に必要なCu/Low-k技術のライセンスを供与し、エルピーダはUMCのDRAM混載SoC（System On a Chip）に必要なDRAMのライセンスを供与する。また、PRAMについては、エルピーダのGST膜に関するこれまでの成果とUMCの高性能CMOSロジック技術を合わせた共同開発を行うという。
今回の提携により、エルピーダのDRAM技術とUMCのCu/Low-kプロセスを融合させて先端DRAMの開発を目指す。UMCはエルピーダへ先端DRAMの生産に必要なCu/Low-k技術のライセンスを供与し、エルピーダはUMCのDRAM混載SoC（System On a Chip）に必要なDRAMのライセンスを供与する。また、PRAMについては、エルピーダのGST膜に関するこれまでの成果とUMCの高性能CMOSロジック技術を合わせた共同開発を行うという。
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