Material

• 2007年のSiウェーハの出荷面積は前年比9％増、SEMIが予測(2007年10月11日)
• 広島大や東大ら、強誘電体メモリー材料BLTの高耐久性を解明(2007年10月05日)
• 出光興産、フォトレジスト原料の自社生産を開始(2007年09月28日)
• チッソ、インクジェット対応の光硬化性インクを開発(2007年09月28日)
• SUMCO、米国での低欠陥Siウェーハに関する特許訴訟で勝訴(2007年09月27日)
• 新日本テクノカーボン、特殊炭素製品の生産ラインを新設(2007年09月12日)
• SUMCO、太陽光発電用Siウェーハの新工場を建設(2007年09月12日)
• SUMCO TECHXIV、台湾子会社の300mmウェーハ生産体制を増強(2007年08月31日)
• 東レ、ポジ型感光性ポリイミドコーティング剤の生産設備を増強(2007年08月29日)
• Rohm and Haasと韓国SKC、FPD事業に関する合弁会社を設立(2007年08月16日)
• 新日鉄、低欠陥化を実現したSiC単結晶100mmウェーハを開発(2007年06月08日)
• 松下電工、狭幅で高絶縁信頼性のパッケージ基板用材料を開発(2007年05月29日)
• 日立電線、約60億円を投じてCu条製造設備を増強(2007年04月24日)
• Semiconductor Insights、Intel、AMDやその他65nmデバイスのゲート絶縁膜の違いを分析(2007年03月19日)
• 信越化学と凸版印刷、45nm、32nm対応フォトマスクブランクスを共同開発(2007年03月09日)
• SCHOTT KURAMOTO、大型TFT-LCD用ガラス基板の後加工生産工場の稼動を開始(2007年03月09日)
• Electronic Newsから：中国版RoHS指令が施行に　(その4)(2007年03月06日)
• Electronic Newsから：中国版RoHS指令が施行に　(その3)(2007年03月06日)
• Electronic Newsから：「勝ち組」と「負け組」　(その2)(2007年03月05日)
• Electronic Newsから：中国版RoHS指令が施行に　(その2)(2007年03月02日)
• Electronic Newsから：中国版RoHS指令が施行に　(その1)(2007年03月02日)
• 昭和電工、高品質の窒化物半導体結晶の新製造法と最高出力の青色LEDを開発(2007年02月23日)
• IMEC、バイオメディカル向け磁性ナノパーティクルを開発(2007年02月23日)
• 昭和電工、りん発光材料の有機EL素子で世界最高水準の外部量子効率を達成(2007年02月15日)
• Siウェーハ出荷面積は5年連続で成長、SEMI調べ(2007年02月14日)
• 産総研、単層カーボンナノチューブの安価な大量合成法を開発(2007年02月13日)
• SOIの生産能力拡大を進めるSoitec(2006年12月18日)
• 東京応化工業と米Dow Corning社、Si含有Bi-Layerフォトレジストを共同開発(2006年12月12日)
• 日本セラテック、東北大学と耐食性に優れる緻密セラミック膜を開発(2006年12月11日)
• 東レ、未硬化のままダイシングまで行えるエポキシ系接着剤を開発(2006年12月05日)
• 産総研と昭和電工、環境にやさしく長期電気絶縁性に優れた樹脂を開発(2006年11月01日)
• 昭和電工、半導体/LCD製造向け高純度塩素の生産能力を増強(2006年10月23日)
• 東京応化と日立、EUVリソ用の低分子フォトレジスト材料を開発(2006年10月19日)
• LEDとドライバを薄膜接合技術で一体化、プリンタ用LEDヘッドのワイヤー本数が1/5に(2006年09月07日)
• Intel、1万500人の人員削減を発表(2006年09月07日)
• 東芝セラミックス、約150億円を投じ300ｍｍウェーハ製造能力を増強(2006年09月04日)
• ウェーハ生産能力が2007年に急拡大の兆し(2006年08月04日)
• クォーツリード、第8世代ガラス基板向け石英切断加工を開始(2006年07月26日)
• 産総研、有機ナノチューブを容易に大量合成する新手法を開発(2006年07月25日)
• 450mmウェーハの登場には10年以上早い(2006年07月19日)
• Soitec、65nm以降向け歪みSOIウェーハを発売(2006年07月18日)
• 産総研、電子伝導性を持つコレステリック液晶を開発(2006年06月23日)
• ローム・アンド・ハース電子材料、低温熱硬化が可能で信頼性の高い半導体用絶縁樹脂「インタービア」を本格供給開始(2006年06月23日)
• 電子回路をインクジェットで形成　低温での熱処理を可能に(2006年06月06日)
• Electronic Newsから：ISMIが450mmウェーハ導入に向けた研究活動の骨子を発表、450mm移行を念頭に置いた300Pを承認(2006年05月24日)
• ElectronicsWeeklyから：燃料電池を搭載した携帯電話機が近く登場か(2006年05月24日)
• 2006年Q1の世界Siウェーハ出荷面積は前年同期比29％増の18億8400万平方インチ、SEMI調べ(2006年05月16日)
• 産総研とキヤノンアネルバ、素子抵抗0.4Ω/平方μm、磁気抵抗比57％のTMR素子の量産化技術を開発(2006年05月12日)
• ElectronicsWeeklyから：米調査会社、有機ELディスプレイ/電子ペーパー市場に注目(2006年05月09日)
• ElectronicsWeeklyから：米研究者、カーボンナノチューブを使った赤外線検知(2006年04月27日)
• 東レ・ダウコーニング、SiCバリア膜に関する特許権を日本でも取得 (2006年04月18日)
• GE Plasticsがディスプレイ用プラスチック基板技術を開発 フレキシブルディスプレイ実現への第一歩 (2006年03月28日)
• 富士通/東京工業大など、次世代の大容量FeRAMを実現する新材料を開発 (2006年03月24日)
• IBM、ArF液浸リソグラフィでライン幅29.9nmの解像に成功、JSRの新材料を採用 (2006年02月20日)
• Rohm and HaasのArFレジストをIMECが液浸リソグラフィを用いた65nmコンタクトホール解像用に選定 (2006年02月17日)
• TOK、中国内での生産体制を増強、LCD製造用剥離液の生産も開始 (2006年1月26日)
• JSR、新クリーンルーム棟を竣工45nm以降の材料開発を加速 (2006年01月20日)
• 日立化成、自己活性型CeO₂粒子系CMPスラリーの基本特許を取得 (2006年01月19日)

• Schott Lithotechが負荷温度1100℃まで耐えられる結晶化ガラス製ウェーハの開発に着手(2005年12月20日)
• SEMI、2005年第3四半期のSiウェーハ出荷面積は第2四半期に続き増加傾向と発表、前期比9％の伸び(2005年11月17日)
• SOITEC と SEZ が歪みSOIウェーハの開発を加速 歪みSOI製造用のウェットエッチングプロセスを共同開発(2005年10月11日)
• SEMI、2005年のSiウェーハ出荷面積は前年比2％増と予測 (2005年10月11日)
• 東工大と日立、BaTiO3ナノ粒子で 従来に比べ容量密度が1桁以上高い有機薄膜コンデンサ材料を開発(2005年10月06日)
• Electronic Newsから： 韓国の研究機関ETRI、Siを代替可能なモット絶縁体を発見(2005年09月06日)
• Electronic Newsから： MEMCが台湾で300mmウェーハ量産を開始、2006年末には全世界で月産35万枚体制に (2005年08月31日)
• TOK、中国で半導体・LCD材料の量産を開始(2005年08月30日)
• Honeywell、Albany Nanotechと協力し半導体材料開発に注力 ALD材料への重点的な投資を決定(2005年07月29日)
• Electronics Weeklyから：AmberWaveが歪みSi技術の特許侵害でIntelを提訴(2005年07月21日)
• 古河機械金属、最大出力25kWの全固体黄色レーザーを開発(2005年07月19日)
• 重厚長大産業から半導体分野に進出しても生き残る(2005年07月15日)
• 富士通研究所、Niシリサイドゲート電極トランジスタのしきい値電圧制御技術を開発(2005年06月15日)
• Electronic Newsから：CMP市場はAMATとCabotの独壇場(2005年05月31日)
• ASMIが米大手半導体メーカーからHigh-k/メタルゲート対応装置を受注(2005年04月26日 )
• フリップチップパッケージ用のリッドシール接着剤「EA-6700」(2005年04月26日 )
• FreescaleとSoitecが歪みSOI基板を用いて45nmノードのデバイスを試作(2005年04月19日)
• JEITAが電子材料工業会を統合、製品から材料まで幅を広げる(2005/04/05)
• AvizaとAir Liquidが共同開発に合意(2005/04/05)
• MykrolisがExtractionを吸収合併液浸リソ工程の汚染制御技術の確立を急ぐ(2005/04/04)
• Intelが資材/サービス供給企業17社を表彰（受賞企業リンク）日本からは大日本スクリーン製造、日立国際電気、TOKなど(2005/03/31)
• Electronics Weeklyから：2005年はウェーハメーカーが好調、大手4社がシェア拡大(2005/03/25)
• VLSI Researchが製造装置メーカートップ10を発表　AMATが首位、TEL、ASMLが続きアドバンテストが急伸(2005/03/24)
• レーザーテック、90nmノード対応マスクブランクス欠陥検査装置を発表(2005/03/23)
• Electronic Newsから：UMC、有機EL用ウェーハの製造を開始(2005/03/22)
• 三菱住友シリコン、300mmウェーハの生産能力を月産60万枚に倍増(2005/03/18)
• 大日本印刷、0.3mm厚の半導体パッケージが実現する金属端子部材を開発(2005/03/16)
• Electronic Newsから：Cabot、Taスパッタリングターゲットの生産能力を増強(2005/03/04)
• Chartered、TELや荏原製作所を表彰(2005年03月03)
• SOITECがSOI技術のGaN基板への適用に成功(2005/03/02)
• NEC、Si基板上に20GHz動作のフォトダイオードを搭載(2005/03/01)
• AE、FPD向けPVD装置用のDC電源を発表(2005/02/22)
• 米Intel、Si基板上に個体レーザーによる増幅器を搭載(2005/02/21)
• 富士フイルムが熊本にＬＣＤ用偏光板材料の新工場設立を決定 第1期工場投資額は400億円(2005/02/14)
• 2004年の世界全体のウェーハ出荷額は前年比25.8％増加(2005/02/10)
• DuPont Photomasks、シンガポール工場の生産能力を拡張(2005/01/27)
• Brooksのレチクル管理ソリューションをFreescaleが採用(2005/01/21)
• 住友化学の米国拠点がGaAsエピウェーハの製造を開始(2005/01/05)

• 信越半導体、およそ1000億円を投資し生産能力を月産50万枚まで増設(2004/12/27)
• High-kゲート絶縁膜の開発が活発化 東芝はHfの最適な濃度を特定(2004/12/22)
• 東芝、45nmノードに向けた新しいNiSi層形成プロセスを確立(2004/12/20)
• 東芝/NEC、MRAMを共同開発(2004/12/20)
• Electronics Weeklyから：Soitec/ASMI、300mmの歪みSOIウェーハを試作(2004/12/16)
• Electronic Newsから：AMD社とIBM社が歪みSiトランジスタを開発(2004/12/15)
• 日立/ルネサステクノロジ、65nm以降に向けたSOIデバイス構造を共同開発(2004/12/15)
• 富士写真フイルム、およそ460億円投じて新しい研究拠点を建設(2004/12/13)
• AMAT、新型レーザーマスク描画装置を発表(2004/12/09)
• Infineon、世界最小のナノチューブ・トランジスタの作製に成功(2004/11/25)
• TOK、65億円を投じて半導体材料の研究開発新棟を新設 45nmリソ技術の研究開発を強化、液浸露光装置の導入を検討(2004/11/17)
• Electronic Newsから：Cymer、EUV光源にLPP方式を採用(2004/11/05)
• MEMC、2004年第3四半期(2004/10/29)
• DuPont Photomasks、フォトマスク生産ラインの新設におよそ33億円投資(2004/10/29)
• ルネサス、ESD保護技術でSarnoff Europeとライセンス契約、先端SOIプロセス技術の開発を加速(2004/10/27)
• Electronic Newsから：Ibis、SOIウェーハの粗さを改善(2004/10/27)
• 富士フイルムがArch Chemicalsの電子材料部門を買収合弁の富士フイルムアーチは富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズに社名変更（2004/10/26）
• 日立化成、研磨傷を従来比３分の１に低減した高性能STI用CMPスラリーを開発（2004/10/21）
• BOC Edwards、Akrionから薬品調合･供給装置を大量受注（2004/10/21）
• 凸版印刷がDuPont Photomasksを買収、完全子会社化フォトマスク市場最大メーカーに躍進(2004/10/06)
• 450mmウェーハ導入は2012年35nmノードから(2004/09/28)
• Electronic Newsから：Silecs、6億6000万円の資金調達に成功（2004/09/22）
• NECがhigh-kゲート絶縁膜にHfSiON膜を採用、トランジスタの信頼性を向上(2004/09/17)
• 日立とエルピーダが65nm以降のDRAM用新型MIMキャパシタを開発(2004/09/17)
• 産総研とアネルバが磁気抵抗比230％のTMR素子をスパッタで形成(2004/09/08)
• 熱膨張係数をカスタマイズできるセラミック材料(2004/09/07)
• TOKがLCDカラーフィルタ用ブラックレジストの生産能力を倍増 投資額は約6億円、2005年1月に生産を開始 (2004/08/30)