Semiconductor International (Japan Edition)
記事検索
Semiconductor International(英語)
Semiconductor International China(中国)
Home
> Category - Wafer Processing
Breaking News
|
Seminar
|
Current Issue
|
Archives
無料購読申込み・変更
無料購読申込み・変更
Email Newsletter登録
RSS
カテゴリ
Wafer Processing
Lithography
Inspection, Measurement & Test
Packaging
FPD Technology
Material
Market / Business
Components
データ・ストレージ
Breaking News
Seminar
Event Calender
Web Exclusive
Reed Business Informationグループ ウエブサイト
EDN JAPAN
ELECTRONIC BUSINESS Japan
Design News JAPAN
DETAIL JAPAN
Wafer Processing
UMCとエルピーダ、Cu/Low-k技術によるメモリー共同開発プログラムに合意(2007年10月24日)
TDKと半導体エネルギー研究所、フレキシブルRFIDを共同開発(2007年09月28日)
Intel、IDFにて32nmプロセスの半導体チップを公開(2007年09月25日)
Spansionの300mmラインが稼働、65nmプロセスでNOR型フラッシュの量産を開始(2007年09月25日)
産総研、finFETを用いた新方式のSRAM回路を発表(2007年09月18日)
TSMCのTsai氏、「45nmの量産、32nmの研究開発は順調」(2007年09月12日)
NIMS、複数サンプルのプロセスを自動化した成膜装置を開発(2007年09月11日)
東芝、第四製造棟の竣工でNAND型フラッシュの生産を加速(2007年09月05日)
奈良先端大の研究グループらが二層Si薄膜の同時結晶化に成功(2007年08月31日)
NIMSと三菱ガス化学、LPE法による大面積ZnOウェーハ製造技術を開発(2007年08月30日)
精工技研、SiCウェーハ研磨加工の量産化技術を確立(2007年08月30日)
デバイスごとに異なる動向を見せる2007年マイクロコンポーネント市場(2007年08月29日)
TSMCがVanguardへの出資比率を引き上げ(2007年08月29日)
NEC、マルチコアLSIの低電力化技術を開発(2007年08月28日)
TSMCが0.13μm組み込みフラッシュの生産を開始(2007年08月24日)
IBMとTDK、スピン注入磁化反転法を適用したMRAMを共同で開発(2007年08月20日)
波紋を広げるSTのInfineon買収の噂話(2007年08月16日)
Samsung、器興工場の停電で生産ラインの一部が停止(2007年08月07日)
IBMとST、次世代プロセスの技術開発で協業(2007年07月25日)
VLSI Research、2007年の製造装置メーカー顧客満足度ベスト10を発表(2007年07月03日)
iSuppli、2007年の半導体市場についてやや楽観的な見方(2007年06月27日)
米SunPower社がトップ、エレクトロニクス業界の小規模企業ベスト30(2007年06月26日)
富士通研究所、GaN高電子移動度トランジスタの高信頼性技術を開発(2007年06月25日)
大日本スクリーン、省スペースかつ高生産性を実現した枚葉式洗浄装置を開発(2007年06月25日)
産総研がAu電極での抵抗スイッチを開発、超小型不揮発性メモリー実現に期待(2007年06月20日)
松下電器、45nmプロセスでのシステムLSIの量産開始を発表(2007年06月20日)
富士通研究所と富士通、45nmLSI向け低消費電力・高性能化技術を開発(2007年06月19日)
ルネサス、32nm以降のSRAM実現に向けた動作マージン拡大技術を開発(2007年06月13日)
東芝、三次元構造を採用したNAND型フラッシュメモリー技術を開発(2007年06月13日)
京大ら、複数枚SiCウェーハの一括処理技術を共同開発(2007年06月13日)
ソニー、熊本テックに投資してCMOSセンサーの生産能力を増強(2007年06月06日)
AMAT、Low-kバリア膜形成装置の新製品を発表(2007年06月05日)
NEC、微細Cu配線の低抵抗化を実現する配線材料技術を開発(2007年06月05日)
VLSI Research、2006年装置サブシステムの上位10社を発表(2007年05月30日)
キヤノン、SEDテレビの発売を当面の間見送ると発表(2007年05月29日)
Hynix、IMECの32nm以降のCMOS研究開発プログラムに参加(2007年05月28日)
IBM、Chartered、Samsungら5社、32nmのプロセス開発で提携(2007年05月25日)
Chartered、300mmウェーハ工場向けに6億1000万ドルの追加融資を確保(2007年05月23日)
AMAT、45nmトランジスタを高速化する歪み技術を発表(2007年05月21日)
ニコン、CMP装置の生産・販売を終了すると発表(2007年05月16日)
Samsung、特許侵害でルネサス テクノロジを提訴(2007年05月11日)
自己組織化によるエアギャップ構造の絶縁膜形成を実現(2007年05月10日)
Hynix Semiconductor、300mm対応の前工程工場の建設を開始(2007年05月01日)
デンソー、北海道千歳市に車載用半導体製造の新会社を設立(2007年04月27日)
IntelとMicron、50nmプロセスMLCのNAND型フラッシュをサンプル出荷(2007年04月27日)
VLSI Research、2006年の半導体製造装置メーカー売上高トップ10を発表(2007年04月27日)
AMAT、45nmフォトマスク用のエッチング装置を発表(2007年04月23日)
ナノチューブにより、Cuと同等の放熱効率を実現(2007年04月19日)
SIIナノテク、45nm対応のフォトマスク欠陥修正装置を発売(2007年04月18日)
東芝、1nmの精度解析を実現したSSRM技術を開発(2007年04月17日)
IBM、三次元チップ積層を実現する新しい貫通電極技術を開発(2007年04月16日)
Electronic Newsから：TSMC、2007年9月にも45nmプロセス製品の生産を開始(2007年04月11日)
大日本スクリーン製造、半導体製造プロセスの開発拠点を建設(2007年04月05日)
Intel、45nmプロセス「Nehalem」製品を2008年に生産開始(2007年04月03日)
富士通、LSI前工程製造子会社の事業を開始(2007年04月03日)
Infineon、インドHSMC社に130nm CMOSプロセス技術のライセンスを提供(2007年04月03日)
オムロン セミコンダクターズが操業を開始(2007年04月03日)
Rohm and Haas社、ハーバード大学のALD技術をライセンス契約(2007年03月30日)
TSMC、55nmプロセス技術の提供開始を発表(2007年03月29日)
奈良先端大と松下電器、バイオを利用した短時間Si薄膜作製技術を共同開発(2007年03月26日)
AMD社とChartered社、65nmプロセスのパイロット生産を開始(2007年03月26日)
Novellus社、薄膜プロセスの生産性を高める新型PECVDを発表(2007年03月23日)
Semiconductor Insights、Intel、AMDやその他65nmデバイスのゲート絶縁膜の違いを分析(2007年03月19日)
MicronがNAND型フラッシュの増産を加速、シンガポールの300mm工場を6カ月前倒しで稼働(2007年03月19日)
TIとRamtronが130nmプロセスのFRAM製造に着手(2007年03月16日)
Intel、中国大連で半導体前工程の新工場建設に25億ドルを投資(2007年03月15日)
IBMがCell BEプロセッサの65nmでの生産を発表(2007年03月15日)
Intel、2010年に400億米ドルの不揮発性メモリー市場へ向けた方策を明らかに(2007年03月12日)
単電子トランジスタの開発が飛躍的に進歩、マンチェスター大学が研究成果を明らかに(2007年03月09日)
中国AMEC、QUALCOMMとSamsungから投資を受け増資を完了(2007年03月09日)
TSMCとNvidia、65nm混載DRAMの製造に成功(2007年03月08日)
JSR、液浸リソ用の高屈折率液体を開発、屈折率は1.64を達成 (2007年03月08日)
IntelとAmberWave、歪みSi訴訟に決着(2007年03月07日)
AMAT、Ultra Low-k 絶縁膜対応のメタルハードマスク技術を発表(2007年03月06日)
2006年4QのMOS IC生産稼働率、3Q比1.9ポイント下降(2007年03月06日)
半導体企業の「勝ち組」と「負け組」(2007年03月02日)
IBM、年内に45nm液浸プロセスによる量産開始(2007年02月27日)
Electronic Newsから：Intel社が「Xeon」の45nmプロセスでの製造を前倒し(2007年02月26日)
「自動車とデジタル民生機器向け製品に集中」――NECエレの構造改革(2007年02月23日)
昭和電工、高品質の窒化物半導体結晶の新製造法と最高出力の青色LEDを開発(2007年02月23日)
エルピーダが200mm対応装置群を中国ファウンドリに譲渡(2007年02月20日)
東芝など3社、電解硫酸によるレジスト除去を実用化(2007年02月20日)
AMATが2007年Q1の業績を発表、売上高は前年同期比22.6％増(2007年02月19日)
キヤノンMJ、Obducat社とナノインプリント装置の独占販売契約を締結(2007年02月15日)
日立、0.05mm角の非接触型粉末ICチップの動作確認に成功(2007年02月15日)
IntelとIBM、45nmプロセスにHf系材料のHigh-kゲート絶縁膜を採用し量産(2007年02月13日)
TSMC、インドのバンガロールにオフィスを開設(2007年02月06日)
ギガフォトン、新クリーンルームの稼動で生産能力を増強(2007年02月01日)
アルバック、小規模生産用の超高真空スパッタ装置を製品化(2007年02月01日)
富士通とエプソン、次世代FRAMにおける共同開発の成果を発表(2007年01月30日)
TELとSEMATECH、3Dインターコネクト技術などで共同開発プログラム(2007年01月29日)
Electronic Newsから：Freescale社、IBM社と提携して「Common Platform」に将来を託す(2007年01月26日)
NEC エレクトロニクス、55nmセルベースICの受注を開始(2007年01月19日)
ルネサス、台湾PSC社とメモリー設計の合弁会社を設立(2007年01月16日)
東京エレクトロン、GCIB技術を有する米Epion社を買収(2007年01月11日)
東芝ら3社、45nm世代のシステムLSI量産技術を共同開発(2006年12月20日)
米MEARS社、ゲートリーク電流を最大90％削減する技術を開発(2006年12月20日)
SOIの生産能力拡大を進めるSoitec(2006年12月18日)
Electronics Weeklyから：「MEDEA+」会長による欧州半導体技術の将来展望(2006年12月11日)
Electronic Newsから：Intel社、45nmプロセス技術の開発は順調(2006年12月11日)
エルピーダと台湾PSC、DRAM合弁会社の設立で基本合意(2006年12月08日)
Electronic Newsから：ST社、アグラテ工場に200mmウェーハのMEMS製品用の新ライン(2006年12月04日)
2006年3QのMOS IC生産稼働率、2Q比2.7％ポイント減少(2006年11月24日)
大日本スクリーン製造、300mm対応の枚葉式ウェーハ洗浄装置を発売(2006年11月24日)
大日本スクリーン製造、ウェーハ洗浄装置の生産工場が竣工(2006年11月20日)
Infineon、検査チップを利用してビア欠陥を回避する方法を実現(2006年11月14日)
エプソン、100nsecの書き込みサイクル時間を実現したFeRAMを開発(2006年11月14日)
日立、ナノインプリントの生産性を約100倍向上させる技術を開発(2006年11月14日)
TSMC、90/65nmプロセス技術に11億3000万米ドル投資 (2006年11月10日)
IntelとMicron、NAND型フラッシュメモリーの合弁工場を建設(2006年11月09日)
アドバンテスト/富士通、試作サービス会社「株式会社イー・シャトル」を設立(2006年10月31日)
Spansion、4ビット/セルの情報を記憶できるフラッシュメモリーを開発(2006年10月11日)
アルバック、低温でのSiGe膜エピタキシャル成長プロセスを開発(2006年10月06日)
SOKUDO、JSRの米国法人JSR Microに「RF3」を納入(2006年10月02日)
富士通研究所、ミニエン向けリアルタイム汚染センサーを開発(2006年09月28日)
大日本スクリーン製造、洗浄装置にベベル洗浄技術を搭載(2006年09月28日)
TSMC、45nm本格量産開始は2008年半ば(2006年09月20日)
LEDとドライバを薄膜接合技術で一体化、プリンタ用LEDヘッドのワイヤー本数が1/5に(2006年09月07日)
Intel、1万500人の人員削減を発表(2006年09月07日)
東芝セラミックス、約150億円を投じ300ｍｍウェーハ製造能力を増強(2006年09月04日)
45nmプロセス技術に向けた開発競争が本格化(2006年08月31日)
産総研、空気中の水素濃度を0.5ppm〜5％まで検知するマイクロ熱電式センサーを開発(2006年08月29日)
Freescale、MRAMで中速SRAMを置き換える(2006年08月08日)
アルバック、k＝2.1のULK装置・材料を発表(2006年07月31日)
BlazeとTSMC、設計ツール「Blaze MO」の提供で協業(2006年07月28日)
不透明な時代のDFM、DFMの進歩は半導体業界の発展に欠かせない(2006年07月28日)
IntelとMicron、50nm NANDフラッシュのサンプル出荷を開始(2006年07月28日)
日立、Si薄膜素子の発光現象を確認Si製LED作成が可能に(2006年07月26日)
基板設計の開発期間を半減、メンターが新技術を投入(2006年07月25日)
SEZ、FEOL向けレジスト剥離技術「ESA」を発表、硫酸ベースの高温薬液で洗浄(2006年07月24日)
450mmウェーハの登場には10年以上早い(2006年07月19日)
Soitec、65nm以降向け歪みSOIウェーハを発売(2006年07月18日)
AMAT、300mmウェーハおよび45nmノード対応PVD/CVD装置 「Applied Endura iLB II」を発表(2006年07月18日)
エスペックなど、超臨界CO
2
半導体洗浄装置のデモ機を開発、300mmウェーハを毎時120枚処理可能(2006年07月18日)
2006年度 設備投資額 トップ10社、IC Insights社が報告：後編(2006年07月18日)
ElectronicsWeeklyから：原子レベルのモデリング技術で22nmチップの実現を目指す(2006年07月18日)
ElectronicsWeeklyから：中国がNAND型フラッシュ向けウェーハ工場建設へ(2006年07月18日)
大日本スクリーン製造、45nm向け洗浄技術「Nanospray2」を発表(2006年07月07日)
プラズモン共鳴効果で室温環境下のテラヘルツ帯電磁波放射に成功(2006年06月30日)
5年間で半導体チップの生産能力を10倍に強化(2006年06月30日)
ひずみSi、二層ゲート絶縁膜などで消費電力を30％低減する45nm世代向け技術(2006年06月30日)
エルピーダメモリ、広島エルピーダ300mm工場の増強計画を発表総投資額は3000億円強に(2006年06月28日)
NECなど、45nm向けCMOSトランジスタと多層Cu配線で0.9V、5GHz動作を確認(2006年06月23日)
アルカテル、日本でMEMS製造装置の事業強化(2006年06月20日)
日立、45°回転させたウェーハでpMOSトランジスタの駆動電流が増える機構を解明(2006年06月15日)
Intel、量産可能なトライゲートトランジスタを開発(2006年06月15日)
スプリング・マイクロプロセッサ・フォーラムジャパン2006から：動的制御とHighK膜で超低消費電力を実現(2006年06月15日)
日立と日立化成、次世代メモリー向けUltra Low-k膜を開発(2006年06月14日)
富士通、NECエレ、ルネサス、東芝の4社が45nm以降の先端半導体の設計標準化で合意、日の丸ファンドリは65nmでの事業化を見送り、プロセスの標準化で結論(2006年06月13日)
2006年のウェーハ処理/プロセス診断装置ベンダー顧客満足度、トップはAgilent、日新イオン機器、Varianと続く、VLSI Research調べ(2006年06月13日)
HOYA、65nmノード向けマスク用にAMATのマスクエッチング装置「Applied Tetra II」を採用(2006年06月07日)
Chartered社が中国に半導体の工場建設を計画(2006年06月06日)
Electronic Newsから：SOI基板導入により所有コストを最大40％削減可能、Semicoの分析(2006年05月26日)
Electronic Newsから：ISMIが450mmウェーハ導入に向けた研究活動の骨子を発表、450mm移行を念頭に置いた300Pを承認(2006年05月24日)
Riber、IMECの22nm以降のCMOS研究活動へ参加、MBEクラスタシステムを提供(2006年05月18日)
Electronic Newsから：TSMC、65nmノード対応DFM向けデータフォーマット変換ツールを提供(2006年05月17日)
大日本スクリーン製造、半導体関連コータ・デベロッパ事業部門の分社化、AMATとの業務および資本提携を発表(2006年05月16日)
安川電機とBrooks、販売/サービスの合弁会社を設立へ、 Synetics SolutionsはBrooksに譲渡 (2006年05月12日)
産総研とキヤノンアネルバ、素子抵抗0.4Ω/平方μm、磁気抵抗比57％のTMR素子の量産化技術を開発(2006年05月12日)
ElectronicsWeeklyから：米研究者、カーボンナノチューブを使った赤外線検知(2006年04月27日)
Rohm and Haas Electronic Materials、65nmプロセス以降に対応したCuめっき添加剤を開発 (2006年04月24日)
SiGen、DSB基板の製造プロセスをプラズマ活性化で改善、 サンプル品の出荷を開始 (2006年04月20日)
NEC、光配線の実現に向けた基本技術を開発 (2006年04月18日)
ElectronicsWeeklyから：「CMOS技術は今後数十年間は健在」とTIのシニア技術者が語る (2006年04月17日)
EVG、ビア内壁にレジストを塗布可能な技術「Nano Spray」 (2006年04月13日)
SEZ、両面を同時処理可能な300mm枚葉式ウェーハ洗浄装置「DV-38DS」、 バッチ式に匹敵するスループットを提供 (2006年04月04日)
45nm以降の半導体基盤技術開発に、5年間で累計900億円投資 (2006年03月31日)
富士通/東京工業大など、次世代の大容量FeRAMを実現する新材料を開発 (2006年03月24日)
SEZ、300mm枚葉式スピン処理装置を Amkor Technologyの台湾子会社に複数台出荷 (2006年03月23日)
Advanced EnergyのMFC「Aera Transformer」を 日本の主要半導体装置メーカーが標準品として認定 (2006年03月09日)
ElectronicsWeekly：微細化技術の限界はどこにある (2006年03月08日)
TI Developer Conferenceから：コスト最優先で作るTI社の最新300mm工場 (2006年03月08日)
TI Developer Conferenceから：コスト最優先で作るTI社の最新300mm工場 (2006年03月08日)
産総研/大阪大学、従来比1000倍以上に安定したCNTトランジスタを開発 (2006年03月01日)
日立プラント、超低露点空気供給設備を開発 低コスト化を実現、さらには製造装置内のN
2
の置きかえも可能に (2006年02月23日)
キヤノン販売、AlcatelのMEMS向け深堀りエッチング装置 「MS200 I-Productivity」を国内販売、国内生産も開始 (2006年02月22日)
不揮発性メモリーの駆動電力を下げられる、ナノクリスタル技術 (2006年02月14日)
Electronic Newsから： いわゆるDFMは、本当のDFMにあらず (2006年02月10日)
東芝/NEC、容量16MビットのMRAMを開発 読み書き速度は200Mビット/秒 (2006年02月08日)
NECエレ、ソニー、東芝、3社が45nm世代システムLSIプロセス技術を共同開発 (2006年02月01日)
Electronic Newsから： ISMIが450mmウェーハ導入に向け研究活動を開始(2006年01月31日)
Electronic Newsから： Intelが45nmプロセスで実作動SRAMチップを製造、リソはドライのArF、 プレーナ型トランジスタを継続 (2006年01月26日)
Applied Materials、IMECの32nm/22nm配線技術の研究開発活動に参加 (2006年01月26日)
日立化成、自己活性型CeO
2
粒子系CMPスラリーの基本特許を取得 (2006年01月19日)
Intelプロセッサ「プレスラー」の本当の実力が明らかになる (2006年01月17日)
NECエレが、High-kを採用した55nmプロセスを発表、65nm比でリーク電流は1/10以下 DFMの採用を継続、リソにはASMLのArF液浸露光装置を採用か (2005年12月20日)
45nmプロセスに向けた新しい誘電体、Hfが有力候補に(2005年12月19日)
東芝が22/18nm世代向け高誘電率ゲート絶縁膜の新材料とプロセスを開発(2005年12月14日)
Electronic Newsから： 米Intel社がInSb採用のトランジスタを開発 消費電力1/10、性能1.5倍(2005年12月12日)
日立とエルピーダ、DRAMセルの記憶保持時間の変動要因を解明(2005年12月12日)
半導体MIRAIプロジェクト、 高空孔率ポーラスLow-kとCu配線の組み合わせでも 実効誘電率を低く保てるCu拡散バリア膜材料を開発(2005年12月09日)
東芝とXilinx、 65nmプロセスのFPGA共同開発に向け合意(2005年12月09日)
Cadence、65nm以下プロセスの歩留まり/ばらつき問題を 改善する設計プラットフォーム「Encounter」の新製品(2005年12月06日)
JSR、平坦化特性やスクラッチ性、研磨レート、 寿命などに優れるCMPパッドの新製品を発表(2005年12月06日)
Electronic Newsから： Freescaleが90nmプロセスで記憶容量24MビットのSiナノ結晶メモリーの製造に成功 (2005年11月30日)
大日本スクリーンの子会社SEBACがダメージを低減できる CMPスラリー供給装置を開発(2005年11月21日)
エルピーダがギガbpsクラスの高速512MビットDDR3 SDRAMをサンプル出荷開始(2005年11月15日)
Intelがハードウエアベースの仮想化技術に対応したプロセッサ 「Pentium 4 672/662」を発表(2005年11月15日)
ElectronicsWeeklyから： 45nmプロセスにHigh-k（高誘電率）材料は不要 (2005年11月15日)
東芝とNECエレが45nm世代のプロセス技術を共同開発、包括提携も検討(2005年11月10日)
IBMが「Xbox 360」向けプロセッサの生産を開始、 動作周波数3.2GHzの64ビットPowerPCコアを3個搭載(2005年10月27日)
TDK、クリーン度を約50％向上させた新型FOUPロードポートを10月中に発売(2005年10月26日)
松下電器産業が富山県魚津工場の新棟で65nmのシステムLSIの量産開始(2005年10月21日)
Electronic Newsから： TSMC、IMECの45nm以降のCMOSプロセス研究活動に参加(2005年10月21日)
Electronics Weeklyから：「プロセス開発のアライアンスは弱点をさらすようなもの」、TI社のCEOが指摘(2005年10月11日)
SOITEC と SEZ が歪みSOIウェーハの開発を加速 歪みSOI製造用のウェットエッチングプロセスを共同開発(2005年10月11日)
Electronic Newsから： AmberWaveがIntelを追訴、歪みSi技術を巡り2社の間に歪み(2005年10月05日)
Electronic Newsから： IBM, CharteredおよびSamsungが45nmプロセスの共同開発を開始(2005年09月26日)
Electronic Newsから： 富士通が65nm向け新プロセス「CS200」「CS200A」を開発 高性能と低消費電力を実現(2005年09月22日)
Electronic Newsから： Intelが65nm向け超低消費電力プロセス「P1265」を開発 トランジスタのリーク電流を1/1000に低減(2005年09月21日)
Electronic Newsから： Thunderbird、フェルミFET実現に向けATDFの研究活動を支援(2005年09月15日)
三洋電機と東京応化が既存の貫通電極形成プロセスに導入可能なウェーハサポートシステムを共同開発 (2005年09月14日)
東芝が6GHz帯で174W出力できるGaNパワーFETを開発(2005年09月14日)
ウシオ電機、300mmウェーハ対応の波長126nm真空紫外線エキシマ光照射装置を開発(2005年09月07日)
Electronic Newsから： MEMCが台湾で300mmウェーハ量産を開始、2006年末には全世界で月産35万枚体制に(2005年08月31日)
ディスコがドライエッチングによる薄型ウェーハ対応ストレスリリーフプロセスを開発、ダイシングによるダメージも除去(2005年08月30日)
Electronic Newsから： Soisic、90nm SOIウェーハ対応COT設計キットを発表、Freescaleでの量産が可能(2005年08月30日)
Electronic Newsから： Intel社、次世代プロセッサは「10倍」を目指す(2005年08月25日)
エルピーダがデュアルゲート構造を採用した512MビットDDR3 SDRAMを開発、 低電圧と高速性を両立(2005年08月24日)
Electronic Newsから：NSFとNRI、2020年を見据えて大学のナノエレクトロニクス基礎研究に200万ドル提供、米半導体業界がポストCMOSの開発に本腰(2005年08月19日)
Electronic Newsから： SEMATECHが多孔質Low-k絶縁膜向けの空孔シール技術を開発 45nmのプロセス開発が加速(2005年08月10日)
Electronics Newsから：VeecoとPicogiga、 GaN-Siウェーハ量産装置を共同開発へ (2005年07月28日)
Rohm and Haasが65nmノードのCu/Low-k配線構造向けCMPスラリーを発表(2005年07月26日)
Electronics Weeklyから：AmberWaveが歪みSi技術の特許侵害でIntelを提訴(2005年07月21日)
東京エレクトロン、45nm対応の新型プラズマエッチングチャンバを8月中旬より受注(2005年07月19日)
ローツェ、正方形の搬送チャンバーを開発、設置スペースが少なく拡張性の高い生産ラインが実現 (2005年07月19日)
日立国際電気が300mmウェーハ対応の縦型バッチ式超高温アニール装置を開発 (2005年07月15日)
東京エレクトロン、液浸プロセス対応塗布現像装置「CLEAN TRACK LITHIUS i+」を発表(2005年07月11日)
AMATがSCPの枚葉洗浄装置部門を買収、洗浄装置市場に再参入狙う(2005年06月30日)
富士通が256バイトFRAM内蔵RFIDを8月に発売、EEPROM搭載品と同等コストで高速な読み書きが可能(2005年06月30日)
Electronics Newsから：Freescaleが欧州の研究プロジェクト「NANOCMOS」に参加(2005年06月28日)
エルピーダが80nmプロセスを適用し2GビットDDR2 SDRAM開発に成功、年内に本格量産を開始(2005年06月24日)
Samsungが90nmプロセスで512Mビットのグラフィックメモリー（DDR3 DRAM）を開発(2005年06月24日)
大日本スクリーン製造、65nm以降に対応した短リードタイムの300mm洗浄装置を発表(2005年06月22日)
富士通研究所がMRAMの新しいメモリーセルを考案、MTJ素子のばらつきを低減、大容量化が容易に(2005年06月21日)
NECと東芝が多層構造をもつMRAMセルを共同開発 従来比5倍の書き込みマージンの拡大と書き込み電流の低減を実現(2005年06月21日)
ひずみSiトランジスタを高耐圧／低リーク電流化しアナログICに適用(2005年06月21日)
ルネサス/日立、多値AG-AND型フラッシュメモリーの高速書き込み技術を開発、ホットエレクトロン注入速度を20倍高速化(2005年06月21日)
NEC/半導体MIRAIプロジェクト、45nm対応の多孔質Low-k膜の成膜技術を開発(2005年06月20日)
日立製作所とルネサス テクノロジ、ゲート絶縁膜/電極界面に極微量のHfを添加することでキャリア移動度を向上(2005年06月17日)
富士通とセイコーエプソン、次世代FRAM技術を共同開発(2005年06月16日)
日立とエルピーダが情報機器向けの低電力DRAM回路技術をVLSIシンポで発表(2005年06月16日)
ベルギーIMEC、ゲートスタック技術とMuGFETの研究成果をVLSIシンポで発表(2005年06月16日)
TI、完全シリサイド化Niシリコンゲートの微細化などをVLSIシンポで発表(2005年06月15日)
仏携帯電話メーカーにSpansionの512MビットNOR型フラッシュメモリーが採用(2005年06月14日)
Electronics Newsから：ATI、Cadence、TSMCがXアーキテクチャによるLSIを製造、2005年末には量産へ(2005年06月14日)
InfineonがDDR3 DRAMをサンプル出荷開始 大量生産は2006年後半を予定(2005年06月14日)
NovellusとSEMATECH、比誘電率2.2未満のUltra Low-k絶縁膜を共同開発(2005年06月09日)
Electronics Newsから：ACM、Cuバリア膜の除去が不要なULKプロセス技術を開発(2005年06月09日)
IBM/ Chartered/Samsungが65nm技術ノードの設計キットを共同開発(2005年06月08日)
CharteredとNovellusがCu CMP技術を共同開発、CMPのコスト削減に着目(2005年06月07日)
InfinionとNanyaが300mm製造ラインで90nm DRAMを量産開始(2005年06月06日)
富士通研究所、ポーラスLow-kを全面採用、45nm世代多層配線技術の開発に成功(2005年06月06日)
AMATが2004年エッチング装置市場でシェアを拡大(2005年06月06日)
Samsungが70nmプロセスで4Gb NAND型フラッシュメモリーの量産を開始(2005年05月31日)
Electronic Newsから：CMP市場はAMATとCabotの独壇場(2005年05月31日)
ASMIが米大手半導体メーカーからHigh-k/メタルゲート対応装置を受注(2005年04月26日)
FreescaleとSoitecが歪みSOI基板を用いて45nmノードのデバイスを試作(2005年04月19日)
アルバックがCNT成膜装置のライ>ンナップ拡充 200mmウェーハ対応装置でCNTを半導体に応用する(2005年04月13日)
Avizaが中古装置ビジネスを開始(2005年04月13日)
SEZの枚葉式洗浄装置をエルピーダが採用DRAM製造においても枚葉化が進む(2005年04月06日)
AvizaとAir Liquidが共同開発に合意(2005年04月05日)
Intelが資材/サービス供給企業17社を表彰（受賞企業リンク）日本からは大日本スクリーン製造、日立国際電気、TOKなど(2005/03/31)
AMAT、Producer CVDの出荷台数>1000台達成(2005年03月25日)
Electronics Newsから：Nova、統合>型計測装置「NovaScan 3090CD」を発売(2005年03月25日)
VLSI Researchが製造装置メーカートップ10を発表 AMATが首位、TEL、ASMLが続きアドバンテストが急伸(2005年03月24日)
欧米市場から日本･中国市場にシフトするAvizaのバッチ処理装置戦略(2005年03月24日)
Electronics Weeklyから：90nmチップで消費電力40％削減に成功、SDC Initiativeが発表(2005年03月24日)
Electronic Newsから：UMC、有機EL用ウェーハの製造を開始(2005年03月22日)
SES、韓国のATISと包括的な業務>提携を締結(2005年03月22日)
NECエレ、90nmのシステムLSI向けのDRAM混載技術を開発(2005年03月16日)
Novellusが中古製造装置ビジネスに参入(2005年03月16日)
AvizaとTrikonが合併で合意(2005年03月16日)
Electronic Newsから：Brad Mattson氏がTegal会長に就任(2005年03月16日)
Electronics Weeklyから：Intel、NOR型フラッシュメモリーを90nm技術で製造(2005年03月08日)
SEZの枚葉式洗浄装置を韓国大手メモリメーカーが採用(2005年03月04日)
Chartered、TELや荏原製作所を表彰
300mm/65nmプロセスプラットフォームの提供を開始(2005年03月03日)
NEC、Si基板上に20GHz動作のフ>ォトダイオードを搭載(2005年03月01日)
AMAT、自動OPC検証ツールを発表(2005年03月01日)
Lam Research、ポイズンピル（買>収防止策）の支給を当初計画より前倒しで終了(2005年02月25日)
Axcelis、枚葉式の新型イオン注入装置「Optima MD」を発表(2005年02月23日)
AE、FPD向けPVD装置用のDC電>源を発表(2005年02月22日)
Novellusがベンチャーファンドを設立(2005年02月18日)
日立とエルピーダがDRAMの設計技術を共同開発(2005年02月18日)
東京エレクトロン、2004年度9カ月通期の売上高は25.4％増の4296億800万円(2005/02/17)
アルバック、2005年6月期の純利>益を上方修正前回予想からは減収増益の傾向(2005年02月16日)
NovellusのPVD装置をHynixが300mm工場で採用益(2005年02月02日)
Electronic Newsから：TSMC、2004年売上高は過去最高の80億8000万米ドル(2005年02月02日)
Electronic Newsから：IBMとCharteredが45nm技術を共同開発(2005年01月26日)
Electronic News から：Lam Research、2005年度第2四半期の売上高は3億7980万米ドル(2005年01月24日)
SEZ、2004年度通年の売上高は前年比78％増で過去最高(2005年01月20日)
Electronic Newsから：米Cadence社、2億5000万米ドルで米Verisity社を買収(2005年01月18日)
Electronic Newsから：Hynix、300mm工場拡張に伴いMattsonのアッシング装置とRTP装置を決定(2005年01月06日)
Electronic Newsから： MagnaChip、130万画素のCMOSイメージセンサーを量産開始(2005年01月05日)
SESが新洗浄技術を開発、処理速度や面内均一性を向上し薬液使用量を半減(2004年12月24日)
High-kゲート絶縁膜の開発が活発化 東芝はHfの最適な濃度を特定(2004年12月22日)
Electronic Newsから：UMC、90nmプロセスの歩留まりを大幅に改善(2004年12月21日)
東芝、45nmノードに向けた新しいNiSi層形成プロセスを確立(2004年12月20日)
東芝/NEC、MRAMを共同開発(2004年12月20日)
Electronics Weeklyから：Soitec/A>SMI、300mmの歪みSOIウェーハを試作(2004年12月16日)
AMAT、AMDから300mm工場用のプロセス装置を大量受注(2004年12月16日)
Electronic Newsから：AMD社とIBM社が歪みSiトランジスタを開発(2004年12月15日)
IMECがトリプルゲート構造を採用した45nmトランジスタの開発に成功(2004年12月15日)
日立/ルネサステクノロジ、65nm以降に向けたSOIデバイス構造を共同開発(2004年12月15日)
SEZ、カスタマー・アプリケーションラボを拡張(2004年12月13日)
KLA-Tencorと大日本スクリーン製造が提携 合弁会社を設立しBlue29の成膜技術を提供(2004年12月09日)
安川電機、ウエーハ搬送ロボット「MOTOMAN-RC1000G」を開発(2004年11月29日)
安川電機、超精密ＸＹエアステージを開発(2004年11月26日)
アルバック、300mm対応メタル成膜装置用に新型プラットフォームを開発(2004年11月26日)
Infineon、世界最小のナノチューブ・トランジスタの作製に成功(2004年11月25日)
アルバック・ファイ、C60イオン銃搭載のXPS装置を販売開始(2004年11月16日)
東京エレクトロン、2004年度上半期売上高、前年同期比26％増の2802億円(2004年11月16日)
アルバックが独自のSi深堀りエッチング技術を開発(2004年11月05日)
Electronic Newsから：Varian、2004年度売上高および純利益,前年度比で増収総益(2004年10月29日)
Electronic Newsから：TI、Dallasの300mm工場で90nm製品を増産(2004年10月25日)
Inotera、300mmウェーハの月間投入量2万4000枚を前倒しで達成。2005年末までに月間5万枚以上に(2004年10月22日)
ラサ工業が300mmテスト用Siウェーハ再生工場を新設(2004年10月15日)
Electronic Newsから：Novellus、特許訴訟でSemitool に3億1900万円で和解(2004年10月14日)
Applied Materials、Endura PVDの出荷台数が300台に到達(2004年10月14日)
ASMIがIMECとの戦略的な提携関係を拡大(2004年10月13日)
Electronic Newsから：Sematech、配線工程部門のトップにInfineonのSitaram R. Arkalgud氏を指名(2004年10月01日)
「プロセス製造装置をコンピュータ・ウィルスから守れ」（2004年09月29日）
450mmウェーハ導入は2012年35nmノードから(2004年09月28日)
Electronic Newsから：IBM, AMD、2008年まで共同開発を延長(2004年09月27日)
NECがhigh-kゲート絶縁膜にHfSiON膜を採用、トランジスタの信頼性を向上(2004年09月17日)
日立とエルピーダが65nm以降のDRAM用新型MIMキャパシタを開発(2004年09月17日)
Mattsonが90nm/65nmプロセス用アッシャを米半導体メーカーに出荷(2004年09月10日)
シンガポールChartered社、130nm,110nmプロセスの300mm工場で製造開始(2004年09月09日)
0.5SCCM微小流量でも制御できるマスフロー・コントローラ(2004年09月09日)
産総研とアネルバが磁気抵抗比230％のTMR素子をスパッタで形成(2004年09月08日)
Electronic Newsから：TSMC、先端プロセス技術の輸出規制緩和を台湾当局に要求(2004年09月08日)
Intel、65nmプロセスを採用した完全動作の70MビットSRAMを開発（2004年08月31日）
米MKS Instruments社・米Umetrics社、新しいAPCソリューションを共同開発(2004年08月30日)
蘭ASMI社、シンガポールにプロセス製造装置の製造拠点を設立(2004年08月30日)
東京エレクトロン・仏CEA Leti、最先端300ｍｍプロセスの共同研究開発に合意(2004年08月30日)
「SEAJ Forum 2004」が11月1〜2日に開催。テーマは「半導体産業の飛躍を支える製造装置技術」(2004年08月27日)
