Current Issue 2004年11月号

..2004年11月号


	歪みSiSOIウェーハの評価測定技術が量産化に不可欠
	バルクSiの限界が見えてきたため、代替のSOIや歪みSi基板にはいまだ問題点や難点があるにもかかわらず、デバイスメーカーはその利点の方に真剣に着目し始めた。製造現場では、いまのところこれらの新材料を採用する以外の選択肢はほとんどない。これらの基板を用いて先端デバイスを高歩留まりで製造するためには、複雑な多層積層構造を高スループットかつ高感度で計測する方法や検査する装置が不可欠であろう。



	APC制御でプロセスのばらつきを大きく改善
	残留ガス分析をメタル成膜装置に適用
	CMPを使用した先端MEMSの製造法
	無電解めっきによるCoWP Cu配線の信頼性とデバイス性能を向上


	いたる所で進むCu配線の改善


	Emerging Technologies-- ＧＯＩの高速トランジスタと受光素子への適用
	Wafer Processing-- 45nmプロセスに向けALD装置開発が加速電解研磨とCMPを組み合わせた低圧の平坦化技術
	Lithography-- ポストArFを狙うEUVリソグラフィリソグラフィは、これまでどおり、シンプルに、安く
	Yield Management-- ニューラルネットワークでラン・ツー・ラン制御を
	Inspection, Measurement & Test-- 絶縁膜テスト用の標準ウェーハを開発する
	Semiconductor Packaging-- Si基板に受動部品を集積したSiPが登場

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