Current Issue 2005年1月号

..2005年1月号


	銅CMP技術解決に向かうディッシング問題
	銅（Cu）MP工程では、平坦性だけではなく、研磨レート、欠陥、パーティクル、そしてコストとさまざまな要素が重要だが、特にCu CMP中のディッシングが潜在的に深刻な問題のようだ。ディッシングはパッドで研磨している間に凹部ができてしまう現象である。極度に平坦性が悪くなり、リソグラフィ工程で焦点深度の問題を引き起こす。半導体業界は、電解機械研磨や砥粒レス研磨などの新技術に期待を寄せている。



	さらに薄い膜をより正確に測定する
	ウェーハレベルパッケージ進化論
	歩留まりをあげる設計DFY 製造技術のカギに


	Siサイクルはすでに過去の神話?!成長が続く半導体技術・産業

	富士通株式会社取締役専務電子デバイスビジネスグループ長小野敏彦氏プロセス、設計、レチクルの３つを武器に65nmに挑戦