Current Issue 2005年4月号

..2005年4月号


	65nmに向けた ArFレジストの準備が完了
	ArF露光装置とコータ・デベロッパ、それに対応するArF（193nm）レジストは量産への準備が整い、65nmプロセスで採用されつつある。レジストを量産に対応させるには、ラインエッジラフネス（LER: Line Edge Roughness）やパターン倒壊などを含む多くの課題を解決することが必須だ。また、液浸リソグラフィ技術の導入に伴い、多種多様のニーズに対応させるべくレジストの改良が進んでいる。



	海外からの投資額が異常に低いニッポン日本版編集長津田建二

	ArF液浸技術にどっぷり漬かる半導体メーカー
	液浸露光中のレジストの膨張を発見
	依然とはびこるラインエッジラフネス問題
	45nm新材料の導入に伴う危険と報酬
	中電流イオン注入装置でUSJ（極浅接合）を形成する方法
	65nm以降のダメージフリー洗浄技術


	トレンチ-ファーストBEOLで歩留まりを向上する


	低コストRFIDタグ作製へ新しい取り組み
	新しい金属酸化膜プロセス
	FinFETトランジスタで世界最小のフラッシュメモリーを作製
	SIIナノテク、65nmノード対応マスクリペア装置を完成
	45nm配線での信頼性に危険信号
	赤外光で「ボトル」トレンチの形状を計測する
	高密度SoPのためのC-SiC
	LCD製造の成膜プロセスをAFMで管理する


	2005年：中国ファウンドリの休養期


	凸版印刷エレクトロニクス事業本部半導体関連事業部 PM技術開発本部課長大瀧雅央氏先端マスクのCD均一性はさらに厳しくなる鍵を握るのはエッチング技術


	4月号 New Products

>>ARCHIVES (バックナンバー)