65nmプロセス量産に向けた準備が着々と整っている。65nmノードに対応したマスクは、光近接効果補正（OPC：Optical Proximity Correction）が多用され、修正が必要な欠陥サイズが非常に微小で複雑な形状になる。さらにＡｒＦリソグラフィの導入により、修正箇所の光学特性も非常に厳しく、ガラスへのダメージを数ナノの単位で減らさなければならなくなっている。

	SIR7000FIBは新しいプラットフォームを採用する

　セイコーインスツルの子会社エスアイアイ・ナノテクノロジー（SIIナノテク）は、65nmノード対応のマスク欠陥修正装置「SIR7000FIB」を4月に発売する。SIR7000FIBは、半導体先端テクノロジーズ（Selete）、大日本印刷、凸版印刷、HOYAと共同研究をした成果をもとに開発された。SIR7000FIBは、集束イオンビーム（FIB）を用いてマスクの微細な欠陥の修正が可能。65nmノード世代で必要な60nm以下の微小な黒欠陥や白欠陥の両方を、10nm以下の精度で修正することができ、ガラスへのダメージを低減している。90nmノード対応の従来機「SIR5000」を継承しつつ、65nmノードの分解能、精度、低ダメージ化を実現した。修正精度は、従来の15nm（3σ）から、10nm（3σ）へと向上している。
　微小な欠陥に対応するために新型イオンビーム光学系を採用した。イオンビーム照射位置安定性が向上したことに加え、ビームを細く絞ることによって、微小な欠陥形状も細部にわたって観察することができ、欠陥形状を忠実に捕らえ、修正することができるようになった。ビーム径は従来比半分、半値幅で30nmから18nmへと向上している。ビーム径を絞ることでイメージ解像度が向上し忠実なリペアが可能になったとしている。また、チャンバユニットに搭載している温調システムを改良し、温度変化を低減することによって温度依存によるドリフトを低減した。OPCへの対応としては、ＣＡＤリンケージ機能を開発した。レイアウト設計後のマスク描画装置が使用する図形データから欠陥箇所の正常なパターンを抽出し、欠陥箇所と重ね合わせることによって、正常なパターンにできるだけ近い形状で修正することが可能となった。
　SIIナノテクは、1985年にFIBによるマスク欠陥修正装置の販売を開始した。以後、国内市場で高いシェアを堅持している。90nmノード対応従来機に対して、65nmノード対応の装置は「90nm対応装置に細かな改善が施されたもの。65nmへの対応では大きな変更点はなく、従来の延長線上の技術で対応できた」（SIIナノテク 取締役 技術統括部長 八坂行人氏）と説明しているが、リペア後のマスクにはリペア前と同一の透過率が要求され、65nmではその要求値はさらに厳しくなっている。それは、いわゆる改善レベルのものではなく、ガスアシストエッチングを高精度な終点モニターなどの制御技術を駆使し、「完璧」な状態に戻すことが求められているようだ。