Current Issue 2005年5月号

..2005年5月号


	エピ成長技術が鍵を握る歪みSOI
	微細化を継続することは、コストおよび技術的な面から制約を受け始めた。過去10年間にわたり、微細化に頼らずにデバイス性能を向上する代替の方法が模索されている。新材料、新しい基板、そして新デバイス構造が登場し、性能改善を実現する候補技術となっており、エピタキシャル成長技術がこれらを実現可能にする製造技術の一つとして重要な役割を果たしている。



	半導体業界のホリエモン騒動日本版編集長津田建二


	ダブルゲートがトランジスタ革命を推進最後の決め手は検査技術
	MRAM製造のアキレス腱磁気トンネル接合形成にメド
	新世代電源でCoOを削減、歩留まりを向上
	空気圧差を制御しパーティクル不良を削減
	ビア、スルーホール利用の完全三次元パッケージング技術


	バルクSi、完全空乏型SOI、マルチゲートの中で、システムレベルで性能が一番良いのは？


	NISTが原子連鎖のエネルギー状態を解明
	分子コンピュータの時代の幕開け
	Microsoftが装置インターフェースをサポート
	ナノインプリントがCNTと融合
	マスクレス・リソグラフィの未来へ向け業界が目指すもの
	微小電流検出技術はアトオーダーまで進化欠陥の早期検出が可能に
	検証システムでマスク開発工数の低減が可能に
	貫通電極技術の適用範囲が拡大の兆し


	Shanghai Belling：戦略転換の苦しみから歩み出した第一歩


	エーエスエムエル・ジャパン株式会社代表取締役社長長谷真司氏 ASMLを選ばない理由はたくさんあるその理由の一つ一つを突き崩していく


	5月号 New Products

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