Current Issue 2005年7月号

..2005年7月号


	Cu配線の「サイズ効果」その隠された秘密をあばく
	Cu配線で配線抵抗が下げられない。また、微細化が進むとともに「サイズ効果」による抵抗率は増大していく。将来のチップ設計には、デバイス設計ルールにサイズ効果と増大する抵抗率への対応を盛り込むことが必要不可欠になる。



	人や業者を見下す態度こそが敵 Semiconductor International日本版編集ディレクター津田建二


	多孔質Low-k導入に立ちふさがる壁
	スパッタリングターゲットでステップカバレッジ問題を解決
	BKM(Best Known Method）欠陥密度を50％削減
	ウェーハレベルパッケージの最新事情：高密度バンプとPbフリーはんだ技術


	歪みSi技術の最新動向


	微細化が進む不揮発性メモリー
	走査型プローブ顕微鏡にカーボンナノチューブを使用する
	メモリー最前線：Matrix Semiconductorが世界最小1Gビットの三次元メモリーを開発価格でNAND型フラッシュメモリーに対抗、ストレージ分野で新たな市場を狙う
	EUVの経済性向上は何ともしがたい EUVを安価に実現する方法はない
	配線技術のエキスパートがCu/Low-kの未来を予言
	STEMが原子1個単位を映し出す
	ナノテクノロジーがPbフリーを救う


	GES、中国における半導体中古設備市場の現況


	米Molecular Imprints社 CTO S.V.Sreenivasan氏


	7月号 New Products

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