| 2005年9月号 |
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Best Products Awards |
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Semiconductor International誌では、編集部が先端の半導体製造で必要不可欠となる優秀な装置20製品を2005年の“Editors' Choice Best Product Award”として選出した。 |
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毎年Semiconductor International誌 編集部により決定される“Editors' Choice Best Product Award”、2005年の20製品が選出された。選ばれた製品は、ウェーハプロセス、実装、パッケージングなどの各工程での実績が立証された。また、どのように生産性を向上し環境を改善したか、どのように環境面でより責任を持ち、そして、どのようにそれらをより安全にしたかが選考の基準となっている。
選出にあたっては新しいルールが適用された。今まではユーザーに製品を指名させる方式であったが、企業は自社製品を指名することができるようになった。一方で、ユーザー側からは製品に関してのコメントを提供するようにとのリクエストがあった。これは製品の選出に際しスタッフの決定を容易にした。これらのコメントのすべては非公表となっている。
メーカーは製品をノミネートするための応募フォームに、それらの製品がウェーハプロセス、実装、パッケージ、テストなど、どのように個々の工程で貢献したかを回答する。そして、競合製品や既存の解決策と比べた時の製品の主な強さが何であったかも答えている。編集部では、これらの回答に基づき製品を評定した。ユーザーからのフィードバックもここでは重要な鍵を握った。
Semiconductor International編集部では、ここで紹介されたすべての製品を祝うとともに、2006年にはさらなる参加者の増加に期待している。なお、授賞式は米カリフォルニア州サンフランシスコで7月に開催されたSEMICON West 2005の会場で行われた。（Jennifer Yario）
編集部注：製品は社名のアルファベット順に掲載している。
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米Amkor Technology社 |
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PsvfBGAは、積層可能なBGAパッケージ。薄型でロジックICとメモリーICの統合が容易であるため携帯機器などで使用されている。ロジックとメモリーのインテグレーションでは、費用効率の高いプラットホームを提供する。この新しいパッケージにより、新型携帯機器の開発で材料コストを低減でき、市場投入期間を短縮、また、製品の小型化をより簡単に行うことができる。 |
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米Applied Materials社 |
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Applied Centura Enableは90nm以降の先端プロセスに対応する絶縁膜エッチング装置。Low-k層間絶縁膜を採用した多層配線プロセスでは、複数のエッチング工程を単一チャンバで続けて行うことができ、従来技術よりも幅広く絶縁膜エッチングのプロセスコントロールが可能となっている。異なるエッチング条件に対応するための高速なソース・バイアス調整やウェーハ表面にダメージを与えない超低DC電圧、チャンバのウェット洗浄の頻度を1/5に低減するクリーンモードなどの新機能を搭載した。 |
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米Applied Materials社 |
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SEMVision G2FIB(集束イオンビーム)は、自動欠陥レビューおよび欠陥分析を実現した。高アスペクト比を持ったパターン画像や電圧コントラスト画像を取得する。高スループット化および自動化により数分間の分析で結果を得られるため、欠陥原因を特定し究明するまでの時間を短縮できる。欠陥は製造ラインからウェーハを取り出すことなく、自動的にレビューおよび断面観察を行うことができる。自動欠陥ローカライズ、高度なプロセス監視および欠陥分析機能を搭載する。 |
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独Carl Zeiss SMT社 |
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AIMS(Aerial Image Measuring System) fab 193 plusは、光学系の露光装置エミュレータで、実際にウェーハに転写したりCD-SEMにより計測したりすることなく、マスク検証が行える。露光パラメータは大きな領域での調整が可能で、実際のウェーハ上に転写せずにマスク検証が可能なため、次世代マスクの開発を加速するとしている。検査光源波長は193nmで、装置には自動搬送ロボット、SMIF機能が追加できる。 |
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米Cymer社 |
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XLA100は、デュアルチャンバ技術MOPA（Master Oscillator Power Amplifier）方式のプラットフォームを採用した第1世代ArFエキシマレーザー光源。 このエキシマレーザー光源の波長は193nmで、高開口数の光学系を搭載した露光装置に供給される。狭い帯域幅、高い出力により65nm以降に対応し、45nmも可能にする。ウェーハスループットが向上できるとともに、光源の運用コストはすべてのDUV露出波長で低減されている。 |
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米FSI International社 |
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ANTARESは、極低温エアロゾル洗浄システム。トランジスタ形成工程から配線工程まで、各工程後に微粒子の欠陥を除去する。200/300mmウェーハ対応装置で、不活性ガスを固体エアロゾル化し吹き付けるドライプロセスとなっている。ユーザーは今までのウェット洗浄やスクラバ洗浄工程を省くことができる。純水を用いない非回転系システムで、ウォーターマークやチャージダメージをなくし、Low-k膜の吸湿フリーも実現でき、歩留まりを向上する。 |
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米Jordan Valley
Semiconductors社 |
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JVX5200は、X線を採用した測定装置で極薄メタル膜および積層膜をインラインで測定する。このX線技術は、10nm以下の膜およびその積層構造で高解像の測定を実現する。また、膜密度や表面粗度の測定も可能となっている。 |
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米KLA-Tencor社 |
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Surfscan SP2は、45nm次世代ウェーハに対応したパターンなしウェーハ検査装置。微細化導入によるリスクを最小化しながら立ち上げを高速化する。検出可能な最小の欠陥サイズは30nmで、ウェーハメーカーには今までの5倍、半導体メーカーには3倍のスループットを提供する。また、SOI（Silicon on Insulator）などの先端基板においても信頼性・精度の高い欠陥検出を行うことができる。 |
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米Multiprobe社 |
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Multiscan AFP（Atomic Force Probe）Xシリーズは90/65nm対応のプローバ。半導体の電気的テストおよび解析に使用される。最大100mmの試料がX-Y-Zマイクロメーターステージに設置され、AFPヘッドを接触させる。AFMをベースにしたこの技術では、位置精度は10nm以下を実現した。 |
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独Multitest elektronische
Systeme社 |
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MEMSテストモジュールプラットホームは、さまざまなMEMSアプリケーションやデバイスパッケージの標準的な環境試験、機能試験および較正を行う。MEMSの最終テストと較正で使用され、重力テストハンドラMT93/MT99と接続して使用される。 重力ハンドラは、テスト後の熱調節と個片化、ソーティングを行う。プラットホームは、最大4個のデバイスまで同時に検査するこが可能になっている。加速、圧力、光または磁場によりセンサーデバイスに刺激を与えることができる。サポート温度範囲は−55〜155℃。 |
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米Northwave Technology社 |
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EM1はテストハンドラのエミュレータで、半導体の最終テストに使用されるテストソフトウェアと関連するハードウェアの開発、デバッグにテストエンジニアにより使用される。 量産現場の高価なテストハンドラの変換キットパーツが接続できるため、エンジニアは量産現場でどんなハンドラを使用していても、安価でそれと同じ環境を構築しデバッグすることができる。また、このエミュレータはチャンバの冷却にLN2の代わりに機械的な冷却方式を使用、より安全でより清潔な試験環境をもたらす。 |
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米Pall社 |
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P-ナイロンPhotoKleen EZD-3フィルタは、フォトレジストや反射防止膜およびその他のリソグラフィ用薬液のフィルタリング、精製で使用される。 P-ナイロン膜の材料はArF（193nm）リソグラフィ用のフォトレジストと反応し、マイクロブリッジ欠陥を減少させる。 また、非機能性のポリマーを取り除くこともできる。フィルタ径0.02μmの製品では、反射防止膜で発生する円錐欠陥を減少させる能力を示した。さらに、この製品はエッチング後の20nmの残渣を除去する。 |
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米Palomar Technologies社 |
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Model 8000は、フリップチップのボールバンプや高精度のワイヤーボンディングが高速な超音波熱圧着ワイヤーボンディング装置。装置は、チップ配線とパッケージ配線を接続する。全自動のワイヤーボンディング装置で、20μm以下のバンプでは、工程数の削減が可能で、ボンドの高さ2μmの安定性（3σ）を実現した。PbフリーのAuワイヤーのプロセスでは、自動で毎秒10個のバンプを形成する。 |
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米Particle Measureing
Systems社 |
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LASAIR II 110は、流速1.0CFMでサンプル抽出を行い、レーザーダイオードにより大きさ0.1μmの粒子を計測できる分子汚染／エアゾール粒子カウンタ。ミニエンバイロンメント環境や製造装置などさまざまなクリーン環境でパーティクル計測を行える。アラーム発生後には調査し粒子の発信源の特定が可能。複数ゾーンのモニタリングもできる。極めてクリーンな産業用ガスのモニターや300mm製造ラインでの高感度な粒子のカウントなど、さまざまなアプリケーションで使用できる。 |
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米RAVE社 |
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nm650は、65nm対応のマスクリペア装置。クオーツの欠陥、Z軸方向のリペアが不十分なために生じる位相エラー、プロセス中に付着するGaのステインや他の汚染物など技術的な問題を取り除いた。 ユーザーは、サイクルタイムの短縮とコスト削減により高いROIを得ることができる。 |
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米Sela社 |
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EM2は、SEM、TEMおよびS/TEM用の自動試料製作装置。20μm未満と薄い試料をサポートグリッド上で作製し、その後ホルダーに入れ試料をさらに薄くする。25分以内でFIB-TEMやSEMの準備を行うことができる。また、試料を裏返したり、貫通するなどの加工も可能。構造上にある欠陥の測定だけではなく、膜中の欠陥も測定できる。結晶面（111）や面を持たないセラミック材料などの加工も可能。さらに、EM2は結晶面に対し45℃の角度でパターンを見ることもできる。 |
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米SensArray社 |
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Integrated Wafer Systemは、製造装置をIn-situで温度モニタリングが可能な温度センサー。製品は、Integrated Waferと熱解析ソフトウェアOP-T-MAPで構成される。先端の露光装置で温度15〜145℃の範囲を±1℃の精度でモニタリングできる。センサーは、装置を通るウェーハと同じ動きをとることができ、安定した状態の温度を測定する。無線通信が可能で、温度の測定遅れがなく、OP-T-MAPと共に使用すれば正確な温度データ管理とデータの可視化が可能となっている。 |
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オーストリアSEZ社 |
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Da Vinciシリーズは、200/300mmウェーハに対応した枚葉式洗浄装置。BEOLのポリマー除去や裏面エッチング、裏面洗浄用に開発され、High-kゲート絶縁膜やメタルゲートなどの90nm以降の新しいアプリケーションにも対応する。同装置は、薬液消費量を抑えながら欠陥密度を最小にし、スループットを100〜120％増強する。グラフィカルユーザーインターフェースにより容易な操作を可能にした。 |
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イスラエルTevet Process
Control Technologies社 |
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IsTMS （In Situ Thickness Measurement System）は、In-situで膜厚測定が可能な装置組み込み型の測定装置で、また、屈折率や減衰係数の測定も可能となっている。一般的にはPECVD装置やCVD装置、エッチング装置、CMP装置に搭載され、FOUPにウェーハを搬送する前にウェーハを測定する。装置組み込みの測定器から迅速なフィードバックが可能で、実際のチップの測定、多層膜の測定、および2秒でウェーハ全面の測定を行うことができる。 |
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米Timbre Technologies社 |
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ODP（Optical Digital Profilometry）は、スキャトロメトリ（光波散乱計測）測定装置。同システムはアプリケーション・サーバーODP PAS-T3とライブラリ用のODP TeraGen の2つのユニットから構成される。この非破壊の形状プロファイリング装置は、ウェーハやマスクの高速に正確な2次元および3次元構造の断面構造画像を提供する。リソグラフィ工程、エッチング工程、CMP工程の量産に対応し、有効な装置組み込み型測定装置となっている。 |
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