Current Issue 2005年10月号

..2005年10月号


	Cu CMP 後洗浄と添加剤の効果
	CMP後洗浄はこの数年で非常に注目を集めている重要なプロセスである。この記事ではシリカパーティクルのCu膜に対する付着力とCMP後洗浄中のパーティクル付着と除去に関する添加剤の役割を調査した。



	歪みSi、かつては日本のお家芸 Semiconductor International日本版編集ディレクター津田建二


	CMPスラリーに最適なフィルタを特定する
	欠陥捕捉率を改善してすばやく異常を検出
	多段ワイヤボンドにおけるワイヤループ形成
	3次元配線のためのウェーハ貼り合わせ技術


	ナノエレクトロニクスの時代に突入する
	サイズ効果が配線に与える本当の影響はどのくらい？


	DNA分子を足場に超伝導ナノワイヤが完成
	45nmノードでもCu配線抵抗はまだ大丈夫
	ディスコがドライエッチングによる薄型ウェーハ対応ストレス緩和プロセスを開発、ダイシングによるダメージも除去
	液浸技術導入に向けて各社からデュアルステージが出そろう唯一、露光装置メーカー大手3社が足並みをそろえるのは、液浸技術の導入には2ステージが必要だということ
	不純物がデバイスの信頼性を上げる
	AFMにカーボンナノチューブのチップを採用画像を合成して寸法測定を可能に
	常温かしめ接続で3-D IC実現にめど


	中国のファウンドリ業界を支えるSMIC


	マレーシア1st Silicon社 CEO Dr.W.John Nelson氏


	10月号 New Products

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